一种MXene负载二维枝化PdNi纳米片异质结材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116516387A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310290254.0

    申请日:2023-03-23

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 程丝 孙超海

    Abstract: 本发明涉及一种MXene负载二维枝化PdNi纳米片异质结材料及其制备方法和应用。本发明通过对钒基MXene(V2CTx)进行四丁基氢氧化铵插层和剥离得到TBA‑V2CTx水溶液,加入氯钯酸、氯化镍、还原剂抗坏血酸以及表面活性剂二十二烷基三甲基氯化铵,在TBA‑V2CTx表面原位还原得到PdNi/TBA‑V2CTx异质结材料。本发明得益于V2CTx自身优异的稳定性及快速的电子转移性能,金属与载体相互作用,多金属间协同作用及原位还原的高负载率与高均匀性,制备出的异质结材料具有快速的电子传输能力,大的催化活性表面积以及更高的持久稳定性,明显优于商用Pd/C电催化剂。

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