公开(公告)号：CN116254180A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310069322.0

申请日：2023-02-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张秀莉 ,  刘远贵 ,  曲玥阳 ,  单宝帅 ,  白荟钰 ,  罗勇

IPC: C12M3/00 ,  C12M3/06 ,  C12N5/079 ,  C12Q1/02 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明公开了一种脑缺血再灌注损伤芯片，自下而上依次包括层叠设置的芯片基板、下层芯片、透气薄膜和上层芯片，其中，下层芯片上设置有多个相互连通的耗氧腔室，上层芯片上对应耗氧腔室的位置设置有细胞培养腔室，用于培养神经细胞；透气薄膜位于上层芯片与下层芯片之间，且为透气但不透液的薄膜；上层芯片和下层芯片上还设有对应的注射孔，注射孔与耗氧腔室连通，用于向耗氧腔室内注入耗氧试剂以模拟脑缺氧。本发明还公开了所述脑缺血再灌注损伤芯片的应用。本发明的脑缺血再灌注损伤芯片，实现了不依赖缺氧小室、三气培养箱等复杂设备就可以实现缺血再灌注损伤模型的构建，且可以进行原位的实时氧浓度监测和脑中风药物的研发。