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公开(公告)号：CN118213419A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410286846.X
申请日：2024-03-13
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用。顶层金属光栅吸收近红外光，产生热电子注入到超薄硅膜层中，然后被底部电极收集形成光电流。顶层金属光栅与硅薄膜形成了肖特基接触，实现了低于硅能量带隙的近红外光探测。金属光栅厚度小，增加金属内部光电发射，为肖特基势垒上热电子发射提供更多机会，进一步提高光电探测器效率。同时通过调节金属光栅宽度可改变探测器的共振波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。由于硅很薄，施加小偏压即可在硅薄膜中引起强电场引发雪崩倍增效应。本发明拓宽了传统硅基光电探测器工作波段，且实现了响应度峰值可调，在硅基光电子器件中具有非常大的应用前景。
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