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公开(公告)号：CN112601359A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011365014.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
Abstract: 本发明专利公开了一种正面与侧面连续薄膜电路的制作方法及制作模具，属于混合集成电路领域，主要适用于陶瓷基薄膜电路制作。本发明采用先把陶瓷片镂空切割，用镂空沟道结合填塞模板制作侧面电路，使侧面电路金属与正面电路金属通过磁控溅射一次形成，同时陶瓷片在整个工艺过程中保持整片处理，然后结合负胶阴版光刻方法，使陶瓷片上正面与侧面连续薄膜电路易于制作，有利于提高产品成品率，便于批量生产。
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公开(公告)号：CN107871704B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711012188.1
申请日：2017-10-26
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种翘曲共烧陶瓷基板上无需打磨制作薄膜电路的方法，包括以下步骤：1)在翘曲共烧陶瓷基板上喷涂BCB胶液，然后按BCB固化温度曲线在氮气气氛炉中固化；2)在固化后的BCB介质层上喷涂正性光刻胶，前烘后用激光束曝光正对通孔柱处的正性光刻胶，显影去除曝光后的正对通孔柱处的光刻胶，对光刻胶进行后烘；3)用氧/四氟化碳等离子体刻蚀BCB介质以露出通孔柱，然后用氧等离子体或去胶液去掉残留的光刻胶掩膜；4)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作底层薄膜电路；5)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作后续各层薄膜电路。
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公开(公告)号：CN103956559A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410206358.X
申请日：2014-05-15
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明公开了一种可使铁氧体微带隔离器与金属载片在真空焊接炉中进行批量焊接从而提高生产效率、降低生产成本的焊接用工装及使用该工装进行焊接的方法。该焊接用工装包括铁合金的底座、与底座相配合的不吸磁的定位框、以及用于压紧待焊的铁氧体微带隔离器与金属载片的永磁件，底座上设有若干放置金属载片的容置槽，定位框上对应于容置槽的位置设有容永磁件下部穿过的通孔。
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公开(公告)号：CN111786063A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010597969.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
Inventor： 王列松
Abstract: 本发明公开了一种成品率高的的拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其步骤如下：步骤1、基片精密抛光：将拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器所需的各个基片在使用前进行精密抛光，以控制基片的厚度公差在±5μm以内；步骤2、制作微带电路：在精密抛光的各基片上通过常规的薄膜电路工艺制作出微带金属电路图形，并在各基片背面通过常规的薄膜电路工艺制作背面接地金属层；步骤3、背面制作共晶焊料；步骤4、从背面切割基片；步骤5、紧密拼接共晶焊；步骤6、微带电镀原位连通：在微带金属电路图形上电镀金属层，厚度为4～6μm。
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公开(公告)号：CN106206402B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201610669817.7
申请日：2016-08-16
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/3205 , H01L21/312
Abstract: 本发明公开了一种曲面上精密薄膜电路制作方法，包括以下步骤：a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层；b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜；c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层；d)脱附烷烃硫醇分子掩膜；e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu，形成Cr掩膜；f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金；g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层，形成所需薄膜电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206402A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610669817.7
申请日：2016-08-16
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/3205 , H01L21/312
Abstract: 本发明公开了一种曲面上精密薄膜电路制作方法，包括以下步骤：a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层；b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜；c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层；d)脱附烷烃硫醇分子掩膜；e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu，形成Cr掩膜；f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金；g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层，形成所需薄膜电路。
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公开(公告)号：CN103345119B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310277961.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法，加工步骤为：A)提供一带接地孔的陶瓷基片、一块掩膜版、一块保护膜、一块软胶垫及一台曝光机；B)首先在陶瓷基片的底面贴上一层保护膜；C)接着在陶瓷基片的正面涂覆正性光刻胶；D)将保护膜撕掉后对正性光刻胶进行前烘；E)用曝光机及掩膜版对陶瓷基片正面的正性光刻胶进行第一次曝光，曝光剂量满足导线区域所需即可；F)接着翻转陶瓷基片并使陶瓷基片的正面紧贴在软胶垫上，底面朝上；G)然后用曝光机对陶瓷基片的底面进行第二次曝光，曝光剂量以把接地孔内的光刻胶曝透为准；H)最后将陶瓷基片从软胶垫上取下进行显影，完成光刻。本方法工艺简单而且节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN112601359B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202011365014.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
Abstract: 本发明专利公开了一种正面与侧面连续薄膜电路的制作方法及制作模具，属于混合集成电路领域，主要适用于陶瓷基薄膜电路制作。本发明采用先把陶瓷片镂空切割，用镂空沟道结合填塞模板制作侧面电路，使侧面电路金属与正面电路金属通过磁控溅射一次形成，同时陶瓷片在整个工艺过程中保持整片处理，然后结合负胶阴版光刻方法，使陶瓷片上正面与侧面连续薄膜电路易于制作，有利于提高产品成品率，便于批量生产。
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公开(公告)号：CN110994101B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201911201129.8
申请日：2019-11-29
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
IPC: H01P1/387
Abstract: 本发明公开了一种制造简便、稳定性强的复合铁氧体超宽带环行器，包括高磁导率金属片、高饱和磁化强度铁氧体、三个低饱和磁化强度铁氧体、以及三个与其相连接的匹配电路介质，高饱和磁化强度铁氧体设置在高磁导率金属片中部，所有相连接的低饱和磁化强度铁氧体及匹配电路介质绕高饱和磁化强度铁氧体周向布置，高饱和磁化强度铁氧体、低饱和磁化强度铁氧体、匹配电路介质上设有微带电路或带线电路，高饱和磁化强度铁氧体上远离高磁导率金属片的一侧设有外偏置稳恒磁场源，高饱和磁化强度铁氧体上设有三个平直切割边，且互成120°；低饱和磁化强度铁氧体设有两个平直切割边；匹配电路介质设有一个平直切割边。
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公开(公告)号：CN111786063B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010597969.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 苏州华博电子科技有限公司
Inventor： 王列松
Abstract: 本发明公开了一种成品率高的的拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器制作方法，其步骤如下：步骤1、基片精密抛光：将拼接型超宽带复合铁氧体微带环形器所需的各个基片在使用前进行精密抛光，以控制基片的厚度公差在±5μm以内；步骤2、制作微带电路：在精密抛光的各基片上通过常规的薄膜电路工艺制作出微带金属电路图形，并在各基片背面通过常规的薄膜电路工艺制作背面接地金属层；步骤3、背面制作共晶焊料；步骤4、从背面切割基片；步骤5、紧密拼接共晶焊；步骤6、微带电镀原位连通：在微带金属电路图形上电镀金属层，厚度为4～6μm。
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