公开(公告)号：CN1948418A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610141662.6

申请日：2006-10-09

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 米田康洋 ,  代田真美 ,  能条治辉 ,  柏原洋文

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了半导体基板用研磨液组合物，其含有二羟基乙基甘氨酸、二氧化铈粒子、分散剂和水性介质，该研磨液组合物中的二氧化铈粒子的含量为2～22重量％，分散剂的含量为0.001～1.0重量％。本发明还提供了使用该研磨液组合物的半导体基板的研磨方法以及具有利用该研磨方法进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。该研磨液组合物例如可应用于嵌入元件分离工序、层间绝缘膜的平坦化工序、嵌入金属布线的形成工序、嵌入电容器形成工序等，特别适用于嵌入元件分离膜的形成工序和层间绝缘膜的平坦化工序，优选用于存储器IC、逻辑IC、或者系统LSI等半导体装置的制造。

公开(公告)号：CN1948418B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200610141662.6

申请日：2006-10-09

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 米田康洋 ,  代田真美 ,  能条治辉 ,  柏原洋文

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了半导体基板用研磨液组合物，其含有二羟基乙基甘氨酸、二氧化铈粒子、分散剂和水性介质，该研磨液组合物中的二氧化铈粒子的含量为2～22重量％，分散剂的含量为0.001～1.0重量％。本发明还提供了使用该研磨液组合物的半导体基板的研磨方法以及具有利用该研磨方法进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。该研磨液组合物例如可应用于嵌入元件分离工序、层间绝缘膜的平坦化工序、嵌入金属布线的形成工序、嵌入电容器形成工序等，特别适用于嵌入元件分离膜的形成工序和层间绝缘膜的平坦化工序，优选用于存储器IC、逻辑IC、或者系统LSI等半导体装置的制造。