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公开(公告)号：CN113383416B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201980090655.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 弗雷德里克·马耶尔 , 弗雷德里克·梅西埃 , 伊万-克里斯多夫·罗宾 , 泽维尔·于贡
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/44
Abstract: 本描述涉及一种光电器件(100)，该光电器件包括集成电路，该集成电路包括发光二极管(104)、薄膜晶体管(110)、和电绝缘层的堆叠(126)，所述堆叠(126)位于发光二极管(104)和晶体管(110，504)之间，所述堆叠(126)还包括在所述绝缘层之间并穿过所述绝缘层的导电元件(128，132)，所述导电元件(128，132)将晶体管中的至少一些晶体管连接到发光二极管(104)。
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公开(公告)号：CN112470280A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980043400.1
申请日：2019-06-27
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 张樱蓝 , 希尔维亚·斯卡林盖拉 , 伊万-克里斯多夫·罗宾 , 阿布德海·阿波莱奇
Abstract: 本发明涉及一种发光器件(15)，包括：第一发光器(40A)，适于发出第一辐射；以及第二发光器(40B)，适于发出不同于第一辐射的第二辐射。第一发光器(40A)包括第一半导体结构和第一辐射转换器(80)。第二发光器(40B)包括第二半导体结构和第二辐射转换器(80)。每个半导体结构包括适于发出第三辐射的半导体层。每个辐射转换器(80)包括一组能够将第三辐射转换成第一或第二辐射的颗粒。第一辐射转换器(80)的颗粒通过光敏树脂块体附着到表面。第二辐射转换器(80)的颗粒通过接枝而附着到表面。
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公开(公告)号：CN107078186B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580053007.2
申请日：2015-09-29
Applicant: 原子能与替代能源委员会 , 艾利迪公司
Inventor： 伊万-克里斯多夫·罗宾 , 阿梅莉·迪赛涅 , 居伊·弗耶 , 史蒂芬妮·戈日兰
Abstract: 本发明涉及光电设备(30)，包括三维半导体元件(20)，其主要由从包括化合物III‑V、化合物II‑VI和化合物IV的组中选择的第一化合物制成。每个半导体元件可选地利用部分地覆盖所述半导体元件的绝缘部分对包括相对于彼此呈一定角度的邻接面的至少一个第一表面(34)定界。光电设备包括在各面之间的缝中的至少一些处的量子点(60)。量子点主要由第一化合物和额外元素的混合物制成并且适合于发射或接收在第一波长的第一电磁辐射。
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公开(公告)号：CN112292764B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201980041716.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 蒂费纳·杜邦 , 伊万-克里斯多夫·罗宾
IPC: H10H20/813 , H10H20/814 , H10H20/818
Abstract: 本发明涉及一种光电子器件，其包括轴向二极管(100)的矩阵(200)，每个二极管形成谐振腔，在该谐振腔中形成有定态电磁驻波，每个发光二极管包括基本上位于电磁波的极值(110)水平上的有源区域(104)，该矩阵形成光子晶体，所述光子晶体被配置为最大化由该二极管阵列提供的电磁辐射的强度。
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公开(公告)号：CN112470280B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201980043400.1
申请日：2019-06-27
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 张樱蓝 , 希尔维亚·斯卡林盖拉 , 伊万-克里斯多夫·罗宾 , 阿布德海·阿波莱奇
Abstract: 本发明涉及一种发光器件(15)，包括：第一发光器(40A)，适于发出第一辐射；以及第二发光器(40B)，适于发出不同于第一辐射的第二辐射。第一发光器(40A)包括第一半导体结构和第一辐射转换器(80)。第二发光器(40B)包括第二半导体结构和第二辐射转换器(80)。每个半导体结构包括适于发出第三辐射的半导体层。每个辐射转换器(80)包括一组能够将第三辐射转换成第一或第二辐射的颗粒。第一辐射转换器(80)的颗粒通过光敏树脂块体附着到表面。第二辐射转换器(80)的颗粒通过接枝而附着到表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112956021B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980069833.4
申请日：2019-10-18
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 蒂费纳·杜邦 , 伊万-克里斯多夫·罗宾
Abstract: 本描述涉及一种光电器件(5)，包括：载体(10)，该载体包括面(12)；发光二极管(DEL)，这些发光二极管位于所述面上并且包括为棒状、圆锥状或截头圆锥状的半导体元件(16)；对于每一个发光二极管，封装块(25)，该封装块对由发光二极管发射的辐射是至少部分透明的并覆盖发光二极管，封装块的最大厚度在1pm和30pm之间，在覆盖相邻二极管的封装块之间存在空气空隙(37)；以及导电层(30)，该导电层覆盖封装块，其中覆盖发光二极管中的至少一个的封装块的折射率在1.3和1.6之间。
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公开(公告)号：CN112470293B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201980039921.X
申请日：2019-06-11
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 伊万-克里斯多夫·罗宾
Abstract: 本发明涉及一种制造光电设备(100)的方法，包括以下步骤：在包括电子部件的集合的板(102)的第一面上形成绝缘层(104，106)和条形导体(105，108)的堆叠；在另一板(122)上形成发光二极管(120)，每个发光二极管包括端部；在第一板的面的至少一部分上形成金属层(110)，并且在第二板的面的至少一部分上形成另一金属层(142)，该另一金属层电耦接到每个发光二极管(120)的端部；使这些金属层接触；形成将板的另一面连接到条形导体(105)的被绝缘的导电过孔(152，154)；以及形成围绕二极管的被绝缘的导电沟槽(160)。
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公开(公告)号：CN111108543B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880061195.7
申请日：2018-07-19
Applicant: 艾利迪公司
Abstract: 本发明涉及一种控制光电设备的方法，所述光电设备包括以行和列排列的显示像素，所述光电设备还包括第一电极，其每个连接到至少一行的显示像素；第二电极，其每个连接到至少一列的显示像素；以及用于控制第一电极和第二电极的电路。所述方法包括，在第一阶段，通过同时执行的以下步骤激活连接到第一电极之一和第二电极之一的显示像素：将所述第一电极之一置于第一电势处，将其他第一电极保持在小于第一电势的第二电势处；以及将所述第二电极之一置于小于所述第二电势的第三电势处，将其他所述第二电极保持在大于所述第三电势且小于所述第二电势的第四电势处。
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公开(公告)号：CN112470293A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980039921.X
申请日：2019-06-11
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 伊万-克里斯多夫·罗宾
Abstract: 本发明涉及一种制造光电设备(100)的方法，包括以下步骤：在包括电子部件的集合的板(102)的第一面上形成绝缘层(104，106)和条形导体(105，108)的堆叠；在另一板(122)上形成发光二极管(120)，每个发光二极管包括端部；在第一板的面的至少一部分上形成金属层(110)，并且在第二板的面的至少一部分上形成另一金属层(142)，该另一金属层电耦接到每个发光二极管(120)的端部；使这些金属层接触；形成将板的另一面连接到条形导体(105)的被绝缘的导电过孔(152，154)；以及形成围绕二极管的被绝缘的导电沟槽(160)。
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公开(公告)号：CN111527607B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201880084400.1
申请日：2018-11-21
Applicant: 艾利迪公司
Inventor： 伊万-克里斯多夫·罗宾 , 杰罗姆·纳皮尔拉
Abstract: 本发明公开了一种用于光电装置(100)的伪衬底(10)，该伪衬底(10)适于生长发光二极管(11、12、13)，包括衬底(1)和形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上的缓冲结构(2)。所述缓冲结构(2)包括至少一个第一部分(21)，其中由固态氮化镓(GaN)制成的层(211)限定至少一个背向所述衬底(1)的上表面(1a)的第一类型的自由表面(210)，每个自由表面都适于在其上生长主要基于III‑V族化合物的能够发射第一波长的光(L1)的发光二极管(11)。所述缓冲结构(2)包括至少一个第二部分(22)，其中铟和氮化镓(InGaN)层和GaN中间层交替并且其中铟以第一重量比例存在的叠层(221)限定至少一个背向所述衬底(1)的上表面(1a)的第二类型的自由表面(220)，每个第二类型的自由表面(220)都适于在其上生长主要基于III‑V族化合物的能够发射不同于所述第一波长的第二波长的光(L2)的发光二极管(12)。所述缓冲结构(2)的所述第二部分(22)在平行于所述衬底(1)的上表面(1a)的平面定向的总体平面(P)上相对于所述缓冲结构(2)的所述第一部分(21)偏移。本发明还描述了一种光电装置(100)和制造方法。
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