公开(公告)号：CN101208770B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580050233.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·瓦德弗里德 ,  C·加默 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  I·贝里 ,  P·萨克蒂韦尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 一种用于处理介电材料诸如低k值介电材料、电容材料、阻挡层及类似物的设备和方法，总体上包括辐射源模组、耦连到辐射源模组的处理腔、和与该处理腔及晶片装卸器成操作性相通的的传送腔模组。可以根据不同类型的介电材料的需要，控制每个模组的气氛环境。该辐射源模组包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板，以限定密封内部区域，其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通。

公开(公告)号：CN101208770A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200580050233.1

申请日：2005-06-22

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·瓦德弗里德 ,  C·加默 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  I·贝里 ,  P·萨克蒂韦尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 一种用于处理介电材料诸如低k值介电材料、电容材料、阻挡层及类似物的设备和方法，总体上包括辐射源模组、耦连到辐射源模组的处理腔、和与该处理腔及晶片装卸器成操作性相通的传送腔模组。可以根据不同类型的介电材料的需要，控制每个模组的气氛环境。该辐射源模组包括反射器、紫外线辐射源、和能透射约150纳米到约300纳米波长的板，以限定密封内部区域，其中该密封内部区域与第一流体源成流体相通。