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公开(公告)号：CN104508875B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201380039651.5
申请日：2013-06-11
Applicant: 肖特公开股份有限公司
Inventor： 米丽娅姆·昆兹 , 乌尔里希·珀什尔特 , 奥拉夫·克劳森 , 伍尔夫·达尔曼 , 拉尔夫·艾登 , 西尔维亚·比登本德 , 安德烈亚斯·罗塔斯 , 加布里埃利·罗默尔-朔伊尔曼 , 约尔格·舒马赫尔
CPC classification number: H01M10/4235 , C03C3/062 , C03C3/07 , C03C3/076 , C03C3/078 , C03C3/091 , C03C12/00 , C09D1/00 , C09K15/02 , H01M2/16 , H01M10/05 , H01M10/052 , H01M10/0567 , H01M2220/30 , H01M2300/0025
Abstract: 本发明涉及电化学储能器用添加剂，其中所述添加剂含有至少一种含硅和碱土金属的化合物V1，所述化合物V1与在所述储能器中的含氟化合物V2接触，形成至少一种化合物V3，所述化合物V3选自含硅和氟的不含锂的化合物V3a，含碱土金属和氟的不含锂的化合物V3b，含硅、碱土金属和氟的不含锂的化合物V3c，或其组合。本发明还涉及含有本发明的添加剂的电化学储能器。
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公开(公告)号：CN102958642B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180032961.5
申请日：2011-07-04
Applicant: 肖特公开股份有限公司
IPC: B23K26/06 , B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/382 , B23K26/402 , B26F1/28 , B26D7/10
CPC classification number: C03B33/093 , B23K26/0093 , B23K26/0604 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B26D7/10 , B26F1/28 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明涉及用于在由玻璃或者类似玻璃的材料以及半导体制成的薄工件（1）中产生大量孔（12）的方法和设备。将多重激光束（41）以在1600和200nm之间的波长范围和一定辐射强度对准到工件（1）的预先确定的穿孔部位（10）上，该辐射强度引起工件材料（1）沿着各一个丝状通道（11）的局部的非热力的破坏。然后，将丝状通道（11）扩宽到孔（12）的期望直径。
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公开(公告)号：CN1753841B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200480004876.8
申请日：2004-01-23
Applicant: 肖特公开股份有限公司
CPC classification number: C03C13/048 , C03C3/062 , C03C3/068 , C03C3/253 , C03C4/0071
Abstract: 本发明涉及一种含有氧化铋和氧化锗添加剂的玻璃，其中B2O3和SiO2的总含量大于0.1mol％但小于5mol％。本发明也涉及一种制造该玻璃适当的方法。该玻璃特别是当掺杂有稀土时可被用作光学活性玻璃。
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公开(公告)号：CN102844908B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180017524.6
申请日：2011-03-29
Applicant: 肖特公开股份有限公司
Inventor： 乌尔里希·珀什尔特 , 安德里亚斯·罗塔斯 , 弗兰克-托马斯·伦特斯 , 迈克·施耐德 , 伍尔夫·达尔曼 , 沃尔弗拉姆·拜尔 , 沃尔夫冈·斯楚米德鲍尔 , 加布里埃利·罗默尔-朔伊尔曼
CPC classification number: H01M2/1646 , C03C12/00 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/4235 , H01M2300/0088 , Y02E60/122
Abstract: 本发明涉及一种电池组电池单元、优选为锂离子电池单元，其包括如下部件，这些部件包含至少一种无机的、优选多功能的组成部分，其中，该组成部分具有＜2.5W/K·m的低导热率，并且由此合适于减少或者至少局部地限制热异常部。
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公开(公告)号：CN102985239A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180031902.6
申请日：2011-07-04
Applicant: 肖特公开股份有限公司
CPC classification number: C03B21/06 , B26F1/28 , C03B21/04 , C03B25/025
Abstract: 本发明涉及用于以应力消除方式从玻璃、玻璃陶瓷或半导体制造穿孔工件的方法。将所述工件加热至转变温度，然后在在合适频率或脉冲形状的高压电场的基础上对所述工件进行穿孔。然后以释放所述穿孔步骤所产生机械应力的速率使所述穿孔工件从所述转变温度范围冷却至室温。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102958642A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032961.5
申请日：2011-07-04
Applicant: 肖特公开股份有限公司
CPC classification number: C03B33/093 , B23K26/0093 , B23K26/0604 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B26D7/10 , B26F1/28 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明涉及用于在由玻璃或者类似玻璃的材料以及半导体制成的薄工件（1）中产生大量孔（12）的方法和设备。将多重激光束（41）以在1600和200nm之间的波长范围和一定辐射强度对准到工件（1）的预先确定的穿孔部位（10）上，该辐射强度引起工件材料（1）沿着各一个丝状通道（11）的局部的非热力的破坏。然后，将丝状通道（11）扩宽到孔（12）的期望直径。
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公开(公告)号：CN1753841A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480004876.8
申请日：2004-01-23
Applicant: 肖特公开股份有限公司
CPC classification number: C03C13/048 , C03C3/062 , C03C3/068 , C03C3/253 , C03C4/0071
Abstract: 本发明涉及一种含有氧化铋和氧化锗添加剂的玻璃，其中B2O3和SiO2的总含量大于0.1mol％但小于5mol％。本发明也涉及一种制造该玻璃适当的方法。该玻璃特别是当掺杂有稀土时可被用作光学活性玻璃。
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公开(公告)号：CN102971121B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180033225.1
申请日：2011-07-04
Applicant: 肖特公开股份有限公司
IPC: B26F1/28
CPC classification number: B44C1/227 , B26F1/28 , B81C1/00087 , C03C23/00
Abstract: 一种用于在以薄片材和基板形式的电介质工件(1)中、特别是在玻璃或玻璃状材料和半导体中产生孔(12)的设备。对称地围绕工件(1)中要产生的孔(12)，将独立电极(6a、6b、6c)布置在电极保持件(21)上，并且将独立对电极(7a、7b、7c)布置在对电极保持件(31)上。独立电极(6a、6b、6c)和独立对电极(7a、7b、7c)能够以置换方式连接至用于释放高电压闪络的高电压源。
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公开(公告)号：CN104508875A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039651.5
申请日：2013-06-11
Applicant: 肖特公开股份有限公司
Inventor： 米丽娅姆·昆兹 , 乌尔里希·珀什尔特 , 奥拉夫·克劳森 , 伍尔夫·达尔曼 , 拉尔夫·艾登 , 西尔维亚·比登本德 , 安德烈亚斯·罗塔斯 , 加布里埃利·罗默尔-朔伊尔曼 , 约尔格·舒马赫尔
CPC classification number: H01M10/4235 , C03C3/062 , C03C3/07 , C03C3/076 , C03C3/078 , C03C3/091 , C03C12/00 , C09D1/00 , C09K15/02 , H01M2/16 , H01M10/05 , H01M10/052 , H01M10/0567 , H01M2220/30 , H01M2300/0025
Abstract: 本发明涉及电化学储能器用添加剂，其中所述添加剂含有至少一种含硅和碱土金属的化合物V1，所述化合物V1与在所述储能器中的含氟化合物V2接触，形成至少一种化合物V3，所述化合物V3选自含硅和氟的不含锂的化合物V3a，含碱土金属和氟的不含锂的化合物V3b，含硅、碱土金属和氟的不含锂的化合物V3c，或其组合。本发明还涉及含有本发明的添加剂的电化学储能器。
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公开(公告)号：CN101343173B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200810096262.7
申请日：2008-05-08
Applicant: 肖特公开股份有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/462 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/453 , G02B1/02 , G02B3/00
CPC classification number: G02B1/02 , Y10S501/90
Abstract: 本发明涉及电光陶瓷、其制备的光学元件和它们的用途，以及成像光学，具体地涉及电光陶瓷和由其制备的折射、透射或衍射光学元件、它们的用途和光学成像系统。这些电光陶瓷和光学元件可透过可见光和/或红外辐射。所述电光陶瓷由晶体基质即多晶材料构成，其中至少95wt％、优选至少98wt％的单晶具有立方焦绿石或萤石结构(图1)。
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