公开(公告)号：CN102891171B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。

公开(公告)号：CN102891171A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210253230.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 马场良平 ,  金子信男 ,  金子修一 ,  施欣宏 ,  吴俊森 ,  罗亿丞

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小。

公开(公告)号：CN102097467A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010578769.3

申请日：2010-12-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 金子信男

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供能够与化合物半导体元件的动作无关地防止漏电流的化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置(1)具有：第1化合物半导体层(31)，其具有2DEG(310)；第2化合物半导体层(32)，其配置在第1化合物半导体层(31)上，作用为载流子供给层；化合物半导体元件(10)以及外周区域(11)，该化合物半导体元件(10)具有：第1电极(61)，其配置在2DEG(310)上；以及第2电极(42)，其在2DEG(310)上与第1电极(61)分开配置，该外周区域(11)在包围化合物半导体元件(10)的周围的区域的一部分中，配置在2DEG(310)上，具有降低该2DEG(310)的载流子浓度的外周电极(62)。

公开(公告)号：CN102097467B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010578769.3

申请日：2010-12-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 金子信男

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供能够与化合物半导体元件的动作无关地防止漏电流的化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置(1)具有：第1化合物半导体层(31)，其具有2DEG(310)；第2化合物半导体层(32)，其配置在第1化合物半导体层(31)上，作用为载流子供给层；化合物半导体元件(10)以及外周区域(11)，该化合物半导体元件(10)具有：第1电极(61)，其配置在2DEG(310)上；以及第2电极(42)，其在2DEG(310)上与第1电极(61)分开配置，该外周区域(11)在包围化合物半导体元件(10)的周围的区域的一部分中，配置在2DEG(310)上，具有降低该2DEG(310)的载流子浓度的外周电极(62)。

公开(公告)号：CN101853881B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010145466.2

申请日：2010-03-23

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 金子信男

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可容易地提高常关特性。所述半导体装置的特征在于，具备：在一侧的主表面的一部分上形成了侧面倾斜的凹部的氮化物系半导体层，设置于上述一侧的主表面的第1电极，夹着上述凹部而处于上述第1电极的相对一侧的、设置于上述一侧的主表面上的第2电极，夹着上述一侧的主表面的上述凹部而形成于两侧的、上述凹部侧的壁面为倾斜的绝缘层，设置于上述凹部的底面上和侧面上以及上述绝缘层的上述凹部侧的壁面的至少一部分上的控制电极；上述绝缘层的壁面的倾斜角比上述凹部的侧面的倾斜角大。

公开(公告)号：CN101853881A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010145466.2

申请日：2010-03-23

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 金子信男

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可容易地提高常关特性。所述半导体装置的特征在于，具备：在一侧的主表面的一部分上形成了侧面倾斜的凹部的氮化物系半导体层，设置于上述一侧的主表面的第1电极，夹着上述凹部而处于上述第1电极的相对一侧的、设置于上述一侧的主表面上的第2电极，夹着上述一侧的主表面的上述凹部而形成于两侧的、上述凹部侧的壁面为倾斜的绝缘层，设置于上述凹部的底面上和侧面上以及上述绝缘层的上述凹部侧的壁面的至少一部分上的控制电极；上述绝缘层的壁面的倾斜角比上述凹部的侧面的倾斜角大。