公开(公告)号：CN102637734B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210028773.1

申请日：2012-02-09

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 伊籐裕规 ,  岩渕昭夫 ,  施欣宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。

公开(公告)号：CN102637734A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210028773.1

申请日：2012-02-09

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 伊籐裕规 ,  岩渕昭夫 ,  施欣宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。