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公开(公告)号：CN106960846B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201610018287.X
申请日：2016-01-12
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有一基底、一包含有一第一导电型态的第一阱区、一包含有一第二导电型态的第二阱区、一第一鳍片结构、以及一第二鳍片结构。该第一导电型态与该第二导电型态彼此互补。该基底包含有一第一半导体材料，该第一鳍片结构与该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度，该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度，且该第二浓度大于该第一浓度。
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公开(公告)号：CN106571383B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201510644705.1
申请日：2015-10-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero‑interface)。
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公开(公告)号：CN101577229B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810096256.1
申请日：2008-05-06
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/772 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 一种半导体元件的制造方法，此方法是在基底上先形成栅极结构。接着，进行第一掺杂及第一应变原子注入工艺。之后，形成栅极结构侧壁的间隙壁。然后，进行第二掺杂及第二应变原子注入工艺。其后，进行固态外延的回火工艺，以形成半导体化合物固相外延层结构的源极与漏极区。
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公开(公告)号：CN101083211A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610084223.6
申请日：2006-05-29
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，所述方法包括：提供一基底，且在基底上形成一栅极结构，又在栅极结构周围形成一偏间隙壁，在偏间隙壁周围形成一牺牲间隙壁。再者，在栅极结构的两侧形成多个外延层，且外延层位于牺牲间隙壁的外侧，之后去除牺牲间隙壁，并在偏间隙壁外侧的基底中以及外延层中形成多个漏极/源极延伸区。由于本发明的源极/漏极延伸区在选择性外延工艺之后制作，所以选择性外延工艺的高温不会破坏源极/漏极延伸区。
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公开(公告)号：CN100585815C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200610084223.6
申请日：2006-05-29
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，所述方法包括：提供一基底，且在基底上形成一栅极结构，又在栅极结构周围形成一偏间隙壁，在偏间隙壁周围形成一牺牲间隙壁。再者，在栅极结构的两侧形成多个外延层，且外延层位于牺牲间隙壁的外侧，之后去除牺牲间隙壁，并在偏间隙壁外侧的基底中以及外延层中形成多个漏极/源极延伸区。由于本发明的源极/漏极延伸区在选择性外延工艺之后制作，所以选择性外延工艺的高温不会破坏源极/漏极延伸区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101114596A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610108025.9
申请日：2006-07-24
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L27/092
Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，首先提供基底，基底上已形成有栅极结构。栅极结构两侧的基底中形成有数个隔离结构。于栅极结构两侧形成第一间隙壁。移除第一间隙壁两侧与隔离结构之间的部分基底，以形成凹陷。于凹陷中沉积一层源极与漏极层，且源极与漏极层的顶表面高于隔离结构的顶表面。于源极与漏极层两侧与隔离结构上形成第二间隙壁。之后，于源极与漏极层上形成一层金属硅化物层。
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公开(公告)号：CN101071774A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200610081826.0
申请日：2006-05-12
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。首先提供一基底，基底上已形成有栅极结构，之后，移除部分基底，以于栅极结构两侧的基底中形成第一凹陷。接着，于第一凹陷中沉积源极与漏极延伸层，并于栅极结构两侧形成间隙壁。然后，移除部分源极与漏极延伸层及部分基底，以于间隙壁以外的源极与漏极延伸层及部分基底中形成第二凹陷。然后，于第二凹陷中沉积源极与漏极层。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。
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公开(公告)号：CN106653843B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201510724668.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体结构，包含有一半导体基底、一形成于该半导体基底上且其内包含有至少一凹槽的介电结构、一形成于该凹槽内的鳍片结构、以及一形成于该鳍片结构内的差排区域。该半导体基底包含有一第一半导体材料，而该鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该差排区域的一最高部分高于该凹槽的一开口。
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公开(公告)号：CN106653843A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510724668.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L21/02381 , H01L21/02538 , H01L27/092 , H01L29/105 , H01L29/66795 , H01L29/778 , H01L29/785 , H01L29/0684
Abstract: 本发明公开一种半导体结构，包含有一半导体基底、一形成于该半导体基底上且其内包含有至少一凹槽的介电结构、一形成于该凹槽内的鳍片结构、以及一形成于该鳍片结构内的差排区域。该半导体基底包含有一第一半导体材料，而该鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该差排区域的一最高部分高于该凹槽的一开口。
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公开(公告)号：CN106571383A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510644705.1
申请日：2015-10-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero-interface)。
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