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公开(公告)号：CN100407403C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510081382.6
申请日：2005-06-28
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/301
Abstract: 本发明披露一种半导体晶片，其特征是，包括多个集成电路芯片区域，每一集成电路芯片区域周围是切割线围绕，经由切割线以及晶片机械切割步骤，可以将多个集成电路芯片区域分开，其中每一集成电路芯片具有四个转角；保护层，同时覆盖前述的集成电路芯片区域以及切割线；第一沟槽，是蚀刻穿过前述的保护层，然后至少蚀刻至介电层，并且仅被安排在每一集成电路芯片的四个转角处；第二沟槽，蚀刻穿过前述的保护层，并配置在靠近前述的第一沟槽的位置；以及保护封环结构，介于集成电路芯片区域与第一沟槽之间。
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公开(公告)号：CN1889249A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510081382.6
申请日：2005-06-28
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/301
Abstract: 本发明披露一种半导体晶片，其特征是，包括多个集成电路芯片区域，每一集成电路芯片区域周围是切割线围绕，经由切割线以及晶片机械切割步骤，可以将多个集成电路芯片区域分开，其中每一集成电路芯片具有四个转角；保护层，同时覆盖前述的集成电路芯片区域以及切割线；第一沟槽，是蚀刻穿过前述的保护层，然后至少蚀刻至介电层，并且仅被安排在每一集成电路芯片的四个转角处；第二沟槽，蚀刻穿过前述的保护层，并配置在靠近前述的第一沟槽的位置；以及保护封环结构，介于集成电路芯片区域与第一沟槽之间。
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公开(公告)号：CN1601738A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03154408.8
申请日：2003-09-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构(parasitic capacitance－preventing dummy solder bump)包含有至少一形成于一基底表面的导电层、一覆盖于该导电层上的介电层、一形成于该介电层表面的覆晶球下金属层(under bump metallurgy layer，UBM layer)以及一形成于该覆晶球下金属层上的焊料凸块。
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公开(公告)号：CN1288728C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02142092.0
申请日：2002-08-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种晶片的封装方法，首先提供一表面具有多个接合垫的晶片，以一环氧化合物固定于一具有多个凸块焊垫的基底的一开口上方；先以金线将各该接合垫与相对应的该凸块焊垫相连接，再将一密封物涂于该基底表面；接着进行一压模加热工序以固化该密封物，并进行一压盖工序，将一顶盖通过与该密封物固定的方式以覆盖该基底、该晶片与该金线，再进行一单块切割工序；本发明利用一粘着物将该顶盖覆盖于该基底、该晶片上方，因此当对该晶片进行电性缺陷分析时，可轻易将该顶盖移除而不伤及该晶片的表面，此外除可对该晶片的上表面进行顶面测试，还可对该晶片的下表面进行底面测试，而确保该电性缺陷分析结果的可信度，进而大幅增进工序的品管效能。
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公开(公告)号：CN1225778C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN02120649.X
申请日：2002-05-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/82
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明先在一半导体芯片的凸点焊点上形成一第一介电层，接着蚀刻该第一介电层以形成一接触孔并暴露部分该凸点焊点，然后于该接触孔外的该半导体芯片表面形成一第二介电层，再进行一凸点底层金属化工艺，以于该接触孔表面形成一金属层，并在该金属层上形成一焊料凸点，最后完成存储器激光修补工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1479357A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02142092.0
申请日：2002-08-26
Applicant: 联华电子股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种便于对一晶片的顶面与底面进行电性缺陷测试的封装方法，首先提供一表面具有复数个接合垫的晶片，以一环氧化合物固定于一具有多个凸块焊垫的基底的一开口上方；先以一金线将各该接合垫与相对应的该凸块焊垫相连接，再将一密封物涂于该基底表面；接着进行一压模加热制程以固化该密封物，并进行一压盖制程，将一顶盖置于该密封物上方以覆盖该基底、该晶片与该金线，再进行一单块切割制程；本发明利用一粘着物将该顶盖覆盖于该基底、该晶片上方，因此当对该晶片进行电性缺陷分析时，可轻易将该顶盖移除而不伤及该晶片的表面，此外除可对该晶片的上表面进行顶面测试，还可对该晶片的下表面进行底面测试，而确保该电性缺陷分析结果的可信度，进而大幅增进制程的品管效能。
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公开(公告)号：CN1328790C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN03154408.8
申请日：2003-09-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种避免产生寄生电容的虚拟焊料凸块结构(parasitic capacitance-preventing dummy solder bump)包含有至少一形成于一基底表面的导电层、一覆盖于该导电层上的介电层、一形成于该介电层表面的倒装芯片球下金属层(under bump metallurgy layer，UBM layer)以及一形成于该倒装芯片球下金属层上的焊料凸块。
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公开(公告)号：CN1190823C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02140909.9
申请日：2002-07-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 刘洪民
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种激光修复过程是提供一具有多个芯片的晶片，每一芯片上配置有多个焊垫、多个测试焊垫、多个保险丝，以及一用以保护芯片并露出焊垫和测试焊垫的保护层，接着进行一凸块过程以于每一焊垫上依序形成球底金属层和凸块，而于每一测试焊垫上只形成球底金属层不形成凸块，而凸块的形成例如是以电镀或是印刷的方式。然后在测试焊垫上方的球底金属层表面进行一测试步骤，最后再进行一激光修复步骤。
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公开(公告)号：CN1402304A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02140909.9
申请日：2002-07-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 刘洪民
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种激光修复过程是提供一具有多个芯片的晶片，每一芯片上配置有多个焊垫、多个测试焊垫、多个保险丝，以及一用以保护芯片并露出焊垫和测试焊垫的保护层，接着进行一凸块过程以于每一焊垫上依序形成球底金属层和凸块，而于每一测试焊垫上只形成球底金属层不形成凸块，而凸块的形成例如是以电镀或是印刷的方式。然后在测试焊垫上方的球底金属层表面进行一测试步骤，最后再进行一激光修复步骤。
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公开(公告)号：CN1463035A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02120649.X
申请日：2002-05-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/82
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明先在一半导体芯片的凸点焊点上形成一第一介电层，接着蚀刻该第一介电层以形成一接触孔并暴露部分该凸点焊点，然后于该接触孔外的该半导体芯片表面形成一第二介电层，再进行一凸点底层金属化工艺，以于该接触孔表面形成一金属层，并在该金属层上形成一焊料凸点，最后完成存储器激光修补工艺。
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