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公开(公告)号：CN111406196B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201880076444.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 美蓓亚三美株式会社
Inventor： 汤口昭代 , 小野彩 , 美齐津英司
IPC: G01B7/16
Abstract: 本应变片包括：基材，具有可挠性；电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；以及电极，与所述电阻体电连接，其中，所述电极具有端子部，从所述电阻体的端部延伸；第一金属层，在所述端子部上，由铜、铜合金、镍、或镍合金形成；以及第二金属层，在所述第一金属层上，由焊料润湿性优于所述第一金属层的材料形成。
公开(公告)号：CN111742189B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201880089676.9
申请日：2018-12-19
Inventor： 美齐津英司 , 汤口昭代 , 小笠洋介
Abstract: 本应变片包括：基材，具有可挠性；功能层，在所述基材的一个表面上，由金属、合金、或金属的化合物形成；电阻体，在所述功能层的一个表面上，由Cr混合相膜形成；以及绝缘树脂层，覆盖所述电阻体。
公开(公告)号：CN111406196A
公开(公告)日：2020-07-10
公开(公告)号：CN117425807A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280040786.2
申请日：2022-03-24
Inventor： 小野彩 , 小笠洋介 , 浅川寿昭 , 汤口昭代 , 北村厚
IPC: G01B7/16 , G01L1/22
Abstract: 本应变计是一种在罗伯威尔型的应变体搭载的应变计，具有：具有挠性的基材；和在所述基材上，由包含Cr、CrN及Cr2N的膜形成的电阻体，所述电阻体的膜厚为6nm以上且100nm以下。
公开(公告)号：CN111417831A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880076802.7
Inventor： 浅川寿昭 , 汤口昭代 , 相泽祐汰 , 种田翔太
Abstract: 本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成，其中，所述基材的一个表面的表面凹凸为15nm以下，所述电阻体的膜厚为0.05μm以上。
公开(公告)号：CN111417830A
申请号：CN201880076801.2
申请日：2018-09-26
Inventor： 美齐津英司 , 汤口昭代 , 足立重之 , 浅川寿昭 , 北村厚
Abstract: 本应变片包括：基材，具有可挠性；功能层，在所述基材的一个表面上，由金属、合金、或金属的化合物形成；电阻体，在所述功能层的一个表面上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；以及绝缘树脂层，覆盖所述电阻体。
公开(公告)号：CN111417831B
公开(公告)日：2023-04-28
公开(公告)号：CN111417830B
公开(公告)日：2023-04-18
公开(公告)号：CN111758012A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201880090127.3
申请日：2018-12-25
Inventor： 相泽祐汰 , 北村厚 , 美齐津英司 , 汤口昭代
Abstract: 本应变片包括：基材，具有可挠性；以及多个电阻体，在所述基材上，由Cr混合相膜形成，其中，所述多个电阻体包括以当将所述基材粘贴在挠曲体上时夹着所述挠曲体且位于相对的位置的方式布置的两个电阻体。
公开(公告)号：CN111742189A
公开(公告)日：2020-10-02
