公开(公告)号：CN110546471A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880026721.6

申请日：2018-05-17

Applicant: 美蓓亚三美株式会社

Inventor： 佐藤聪 ,  小林正辉

IPC: G01K5/52

Abstract: 本发明提供一种在不受环境温度影响的情况下测定金属对象物自身的温度的装置。第1发明是使用至少一个应变片来测定金属对象物的温度的装置，将至少一个应变片粘贴在金属对象物上，且应变片的线性膨胀系数不同于金属对象物的线性膨胀系数。第2发明是使用两个应变片来测定金属对象物的温度的装置，将两个应变片粘贴在金属对象物上，且两个应变片的栅方向彼此一致，使用两个应变片构成惠斯通电桥电路，两个应变片中的第1应变片的线性膨胀系数大于金属对象物的线性膨胀系数，两个应变片中的第2应变片的线性膨胀系数小于金属对象物的线性膨胀系数。

公开(公告)号：CN110546471B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201880026721.6

申请日：2018-05-17

Applicant: 美蓓亚三美株式会社

Inventor： 佐藤聪 ,  小林正辉

IPC: G01K5/52

Abstract: 本发明提供一种在不受环境温度影响的情况下测定金属对象物自身的温度的装置。第1发明是使用至少一个应变片来测定金属对象物的温度的装置，将至少一个应变片粘贴在金属对象物上，且应变片的线性膨胀系数不同于金属对象物的线性膨胀系数。第2发明是使用两个应变片来测定金属对象物的温度的装置，将两个应变片粘贴在金属对象物上，且两个应变片的栅方向彼此一致，使用两个应变片构成惠斯通电桥电路，两个应变片中的第1应变片的线性膨胀系数大于金属对象物的线性膨胀系数，两个应变片中的第2应变片的线性膨胀系数小于金属对象物的线性膨胀系数。