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公开(公告)号:CN111406195B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN201880076443.5
申请日:2018-09-26
Applicant: 美蓓亚三美株式会社
Inventor: 浅川寿昭 , 丹羽真一 , 相泽祐汰 , 北村厚
IPC: G01B7/16
Abstract: 本应变片包括:基材,具有可挠性;以及电阻体,在所述基材上,由包含铬和镍中的至少一者的材料形成,其中,所述基材的膨胀系数在7ppm/K~20ppm/K的范围内。
公开(公告)号:CN111417829A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201880076750.3
Inventor: 浅川寿昭 , 相泽祐汰 , 户田慎也 , 高田真太郎 , 丹羽真一
Abstract: 本应变片包括:基材,具有可挠性;功能层,在所述基材的一个表面上,由金属、合金、或金属的化合物形成;以及电阻体,在所述功能层的一个表面上,由包含铬和镍中的至少一者的材料形成。
公开(公告)号:CN119604738A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202380056014.2
申请日:2023-08-01
Inventor: 户田慎也 , 浅川寿昭 , 北村厚 , 丹羽真一
Abstract: 本应变计具有基材和在所述基材上形成的电阻体,所述电阻体由以Cr为主成分的材料形成,所述电阻体的线宽W和膜厚T满足下式(1)的关系,以使横向敏感度比为70%以下且灵敏系数为5以上。w≤0.0177t2+0.1521t+2.9541…(1),这里,式(1)中,w=logW、t=logT。
公开(公告)号:CN119604737A
申请号:CN202380055986.X
申请日:2023-07-28
Abstract: 本应变计具有基材和在所述基材上形成的电阻体,所述电阻体由以Cr为主成分的材料形成,所述电阻体的膜厚为200nm以上,以使横向敏感度比为70%以下且灵敏系数为5以上。
公开(公告)号:CN119487354A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202380052002.2
申请日:2023-07-05
Abstract: 本应变计具有基材和在所述基材上形成的电阻体,所述电阻体由以Cr为主成分的材料形成,所述电阻体的线宽为70μm以下,以使横向敏感度比为70%以下,且灵敏系数为5以上。
公开(公告)号:CN111542727B
申请号:CN201880084755.0
申请日:2018-10-30
Inventor: 浅川寿昭 , 丹羽真一 , 高田真太郎
IPC: G01B7/16 , C23C14/06
Abstract: 本应变片具有:基材,具有可挠性;电阻体,在所述基材上由包含铬和镍中的至少一者的材料形成;及防氧化层,形成在非氧化面上,该非氧化面构成所述电阻体的上表面。
公开(公告)号:CN111406195A
公开(公告)日:2020-07-10
公开(公告)号:CN116608762A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310346190.1
公开(公告)号:CN111417829B
公开(公告)日:2023-04-25
公开(公告)号:CN111542727A
公开(公告)日:2020-08-14