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公开(公告)号：CN113225077B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110160855.0
申请日：2021-02-05
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Abstract: 本公开涉及在电流舵数模转换器中利用电流存储特性。公开用于控制3级电流舵DAC单元的改进的开关技术。这些技术包括将DAC单元的两个实现为场效应晶体管(FET)的电流源与其各自的偏置源以及负载进行解耦，以转换零数字输入，其中解耦以一定顺序执行。该技术还包括将电流源耦合到它们各自的偏置源以及耦合到负载以转换非零数字输入，其中耦合也以一定顺序执行。解耦和耦合偏置源和负载到DAC单元的电流源的一定顺序基于FET中的电流存储现象。在操作DAC单元时利用电流存储可以减少功耗，同时保留3级电流舵DAC的高性能。
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公开(公告)号：CN112532217A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010986317.2
申请日：2020-09-18
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03K5/24
Abstract: 本公开共栅极比较器和熔断器读取器。可以使用共栅极FET从熔断器组读取参考信息和测试信息来确定一个或多个熔断器的状态。在例子中，可以使用响应控制信号的第一开关选择性地将FET器件二极管连接，并且可以将信号存储电容器连接到FET器件的栅极端子。当第一开关闭合并且在FET器件的源极节点处施加第一输入信号时，电容器可以存储有关参考信号的信息。当第一开关打开时，可以在FET器件的源极节点处施加第二输入信号，并且在FET器件的漏极节点处的输出信号可以表示第一输入信号与参考信号之间的幅度关系。在示例中，第二输入信号可以指示熔断器的状态。
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公开(公告)号：CN112532217B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010986317.2
申请日：2020-09-18
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03K5/24
Abstract: 本公开共栅极比较器和熔断器读取器。可以使用共栅极FET从熔断器组读取参考信息和测试信息来确定一个或多个熔断器的状态。在例子中，可以使用响应控制信号的第一开关选择性地将FET器件二极管连接，并且可以将信号存储电容器连接到FET器件的栅极端子。当第一开关闭合并且在FET器件的源极节点处施加第一输入信号时，电容器可以存储有关参考信号的信息。当第一开关打开时，可以在FET器件的源极节点处施加第二输入信号，并且在FET器件的漏极节点处的输出信号可以表示第一输入信号与参考信号之间的幅度关系。在示例中，第二输入信号可以指示熔断器的状态。
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公开(公告)号：CN113225077A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110160855.0
申请日：2021-02-05
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Abstract: 本公开涉及在电流舵数模转换器中利用电流存储特性。公开用于控制3级电流舵DAC单元的改进的开关技术。这些技术包括将DAC单元的两个实现为场效应晶体管(FET)的电流源与其各自的偏置源以及负载进行解耦，以转换零数字输入，其中解耦以一定顺序执行。该技术还包括将电流源耦合到它们各自的偏置源以及耦合到负载以转换非零数字输入，其中耦合也以一定顺序执行。解耦和耦合偏置源和负载到DAC单元的电流源的一定顺序基于FET中的电流存储现象。在操作DAC单元时利用电流存储可以减少功耗，同时保留3级电流舵DAC的高性能。
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