公开(公告)号：CN109425928B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201810970268.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： S·R·戴维斯 ,  S·德里韦拉 ,  M·齐埃姆基维茨 ,  D·甘 ,  A·W·斯巴克司 ,  M·H·安德森

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/26 ,  G02B6/136

Abstract: 本公开涉及平面波导份步进耦合器。可以提供光耦合器以将光束耦合到波导中。光耦合器可包括阶梯结构，例如以减少制造期间的困难、减少与制造相关的费用，另外以提供增加的光耦合器的接收角。波导可以包括引导区域，其中覆层厚度可以相对于耦合区域增加，例如以减少由于引导区域中的渐逝外耦合引起的损失。

公开(公告)号：CN109425928A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810970268.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： S·R·戴维斯 ,  S·德里韦拉 ,  M·齐埃姆基维茨 ,  D·甘 ,  A·W·斯巴克司 ,  M·H·安德森

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/26 ,  G02B6/136

Abstract: 本公开涉及平面波导份步进耦合器。可以提供光耦合器以将光束耦合到波导中。光耦合器可包括阶梯结构，例如以减少制造期间的困难、减少与制造相关的费用，另外以提供增加的光耦合器的接收角。波导可以包括引导区域，其中覆层厚度可以相对于耦合区域增加，例如以减少由于引导区域中的渐逝外耦合引起的损失。