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公开(公告)号：CN104820456B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510048292.0
申请日：2015-01-30
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F3/02 , H03M1/1009 , H03M1/1019 , H03M1/742
Abstract: 本公开涉及电流源校准跟踪温度和偏置电流。在示例实施例中，提供包括具有校准微调电路的电流源的电路，其输出电流随着电流源的跨导变化，并跟踪在不同的偏置电流和温度下电流源和另一个电流源之间的电流失配。微调电路可以包括至少一个校准数字到模拟转换器(DAC CAL)，其可以由偏置电路驱动，产生成比例于电流源的跨导的电流。在一个示例实施例中，微调电路可以包括至少两个CAL DAC，其输出电流可以仅随偏置电流以及随偏置电流和温度变化。校准CAL DAC的方法包括：改变在不同的偏置电流下CAL的DAC的校准设置，直到微调电路的输出电流实质上准确跟踪在不同的偏置电流和温度下的电流失配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104820456A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510048292.0
申请日：2015-01-30
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F3/02 , H03M1/1009 , H03M1/1019 , H03M1/742
Abstract: 本公开涉及电流源校准跟踪温度和偏置电流。在示例实施例中，提供包括具有校准微调电路的电流源的电路，其输出电流随着电流源的跨导变化，并跟踪在不同的偏置电流和温度下电流源和另一个电流源之间的电流失配。微调电路可以包括至少一个校准数字到模拟转换器(DAC CAL)，其可以由偏置电路驱动，产生成比例于电流源的跨导的电流。在一个示例实施例中，微调电路可以包括至少两个CAL DAC，其输出电流可以仅随偏置电流以及随偏置电流和温度变化。校准CAL DAC的方法包括：改变在不同的偏置电流下CAL的DAC的校准设置，直到微调电路的输出电流实质上准确跟踪在不同的偏置电流和温度下的电流失配。
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公开(公告)号：CN102292813A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200980155230.2
申请日：2009-12-07
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于保护IC芯片免受ESD的保护电路。集成电路芯片的ESD保护电路可以包括隔离型NMOS晶体管，该隔离型NMOS晶体管可以包括将背栅与衬底隔离的隔离区域、以及形成在背栅上的第一和第二掺杂区域以及栅。ESD保护电路还可以包括用于将隔离区域连接到第一电节点的第一端子、以及用于将第二掺杂区域连接到第二电节点的第二端子。第一电节点可以具有比第二电节点高的电压电平，并且栅和背栅可以耦合到第二端子。
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公开(公告)号：CN103493138B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280020579.7
申请日：2012-03-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G11C7/02
CPC classification number: G11C27/026 , G11C7/02
Abstract: 一种集成电路的架构允许在已对输入信号进行采样之后消除在所述集成电路中的电容器上所采样的噪声。在一序列的时钟相位期间，在选择性地控制多个开关装置之后，可以消除与任意输入信号相关的热噪声。一种辅助电容器可用来储存与所述热噪声相等的电压，并且连同噪声消除单元一起实现所述热噪声从所采样信号的消除。
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公开(公告)号：CN102292813B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN200980155230.2
申请日：2009-12-07
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于保护IC芯片免受ESD的保护电路。集成电路芯片的ESD保护电路可以包括隔离型NMOS晶体管，该隔离型NMOS晶体管可以包括将背栅与衬底隔离的隔离区域、以及形成在背栅上的第一和第二掺杂区域以及栅。ESD保护电路还可以包括用于将隔离区域连接到第一电节点的第一端子、以及用于将第二掺杂区域连接到第二电节点的第二端子。第一电节点可以具有比第二电节点高的电压电平，并且栅和背栅可以耦合到第二端子。
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公开(公告)号：CN103493138A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280020579.7
申请日：2012-03-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G11C7/02
CPC classification number: G11C27/026 , G11C7/02
Abstract: 一种集成电路的架构允许在已对输入信号进行采样之后消除在所述集成电路中的电容器上所采样的噪声。在一序列的时钟相位期间，在选择性地控制多个开关装置之后，可以消除与任意输入信号相关的热噪声。一种辅助电容器可用来储存与所述热噪声相等的电压，并且连同噪声消除单元一起实现所述热噪声从所采样信号的消除。
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