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公开(公告)号：CN120066845A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510128979.9
申请日：2021-03-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及阈值数目个迭代之后利用可调整参数的迭代性错误校正。一种存储器系统中的处理装置从存储器装置读取感测字，且对所述感测字的对应子集执行多个奇偶校验方程式以确定多个奇偶校验方程式结果。所述处理装置使用所述多个奇偶校验方程式结果确定所述感测字的校正子，确定所述感测字的所述校正子是否满足码字准则，且响应于所述感测字的所述校正子不满足所述码字准则，执行迭代性低密度奇偶校验LDPC校正过程，其中在执行阈值数目个迭代之后调整所述迭代性LDPC校正过程的至少一个准则。
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公开(公告)号：CN115713961B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211006282.7
申请日：2022-08-22
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述用于基于在奇偶校验矩阵中具有灵活列权重的速率自适应LDPC码进行错误校正的方法和系统。根据第一低密度奇偶校验LDPC码的第一编码奇偶校验矩阵将数据编码以获得具有第一奇偶性的第一码字。根据第二LDPC码的第二编码奇偶校验矩阵将所述第一码字编码以获得第二奇偶性。接收所述第一码字。响应于基于所述第一奇偶性的所述第一码字的错误校正失败，接收所述第二奇偶性。基于所述第二奇偶性和速率自适应LDPC码的解码奇偶校验矩阵校正所述第一码字，通过将所述第二编码奇偶校验矩阵与所述第一编码奇偶校验矩阵竖直串连并且添加全部为零的子矩阵以完成所述解码奇偶校验矩阵的维度，以此构造所述解码奇偶校验矩阵。
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公开(公告)号：CN113342568B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110231132.5
申请日：2021-03-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及阈值数目个迭代之后利用可调整参数的迭代性错误校正。一种存储器系统中的处理装置从存储器装置读取感测字，且对所述感测字的对应子集执行多个奇偶校验方程式以确定多个奇偶校验方程式结果。所述处理装置使用所述多个奇偶校验方程式结果确定所述感测字的校正子，确定所述感测字的所述校正子是否满足码字准则，且响应于所述感测字的所述校正子不满足所述码字准则，执行迭代性低密度奇偶校验LDPC校正过程，其中在执行阈值数目个迭代之后调整所述迭代性LDPC校正过程的至少一个准则。
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公开(公告)号：CN115309573B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202210348436.4
申请日：2022-04-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于迭代错误校正的动态位翻转顺序。方法、系统和设备包含接收存储在存储器装置中的码字。针对第一数目的迭代对所述码字进行错误校正。所述错误校正包含根据第一顺序遍历所述码字。针对第二数目的所述迭代对所述码字进行错误校正。在来自所述第二数目的迭代的第二迭代期间对所述码字的所述错误校正包含根据不同于所述第一顺序的第二顺序遍历所述码字。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113342259B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110213173.1
申请日：2021-02-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本申请涉及存储器子系统、方法和存储器装置。举例来说，在从存储器子系统的处理装置接收所述读取命令之后，存储器装置开始在所述存储器装置中执行所述读取命令的原子操作。所述存储器装置可具有形成于集成电路裸片上的一或多个存储器单元群组，和被配置成测量所述存储器装置中的存储器单元的信号和噪声特性的校准电路。在所述原子操作期间，所述校准电路生成输出，所述存储器子系统的读取管理器基于所述输出识别待在所述原子操作中执行的子操作和/或决定结束所述原子操作。
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公开(公告)号：CN111712803B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980012739.5
申请日：2019-01-17
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 可接收将存储在存储器系统处的用户数据。可识别与所述存储器系统相关联的系统数据，且可基于错误控制操作将所述用户数据及所述系统数据存储在所述存储器系统处。可识别所述系统数据的子集，且可基于另一错误控制操作将所述系统数据的所述子集存储在所述存储器系统处。
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公开(公告)号：CN113628673B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110496879.3
申请日：2021-05-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C29/50
Abstract: 本申请涉及确定以经优化读取电压为中心的信号和噪声特性。一种存储器装置响应于识别存储器单元群组的命令而估计所述存储器单元群组的信号和噪声特性。例如，所述存储器装置基于第一测试电压测量所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性，使用所述第一信号和噪声特性计算所述存储器单元群组的经优化读取电压，并使用所述第一信号和噪声特性估计所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性，其中所述第二信号和噪声特性是基于以所述存储器单元群组的所述经优化读取电压为中心的第二测试电压。
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公开(公告)号：CN113628664B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110494719.5
申请日：2021-05-07
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及对从存储器单元读取软位和硬位的改进。一种存储器子系统配置成使用从存储器单元读取软位数据和硬位数据的合并过程执行第一类型的读取命令。例如，存储器装置将：针对所述读取命令，测量存储器单元的信号和噪声特性；基于所述特性，计算经优化电压和相对于所述经优化电压具有相同量的偏移的两个邻近电压；使用所述经优化电压读取所述存储器单元以获得硬位数据，并使用所述两个邻近电压读取所述存储器单元以获得软位数据；以及向所述处理装置传输包含所述硬位数据的响应。所述软位数据可以基于根据所述特性确定的分类而选择性地传输。当执行第二类型的读取命令时，不读取软位数据；和/或不测量所述信号和噪声特性。
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