公开(公告)号：CN101073192B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200580041746.6

申请日：2005-11-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： E·劳 ,  M·亨 ,  K·弗卢格

IPC: H02K15/02

CPC classification number: H02K15/024 ,  H02K15/026 ,  Y10T29/49009 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49055 ,  Y10T29/53143

Abstract: 本发明是以一种用于使电机的电磁元件弯曲成形的制造装置为依据，其中，电磁元件由弯曲成形的叠片组(5)构成。本发明提出了一种用于使叠片组(5)弯曲成形的第一装置(10)以及一种用于将已弯曲的叠片组(5)成品成形的第二装置(25)，其中，第二装置(25)具有用于叠片组(5)的轴向固定和压紧的第一组件(29)和用于叠片组(5)径向定中心和压紧的第二组件(28)。

公开(公告)号：CN118553607A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410212285.9

申请日：2024-02-27

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·亨 ,  C·胡贝尔 ,  J·巴林豪斯

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种用于在GaN功率晶体管的GaN半导体衬底和栅极电介质之间制造少缺陷的边界面的方法(100)，包括以下步骤：将至少一个GaN半导体衬底安置(120)到设备中，在所述设备内部产生(130)真空，将所述设备加热(140)到第一温度，以所述第一温度实施(150)第一温度步骤，其中，反应性介质被导入所述设备中并且具有第一分压，以第二温度实施(160)第二温度步骤，其中，惰性介质被导入所述设备中并且具有第二分压，以及在所述GaN半导体衬底上产生(170)所述栅极电介质。本发明还涉及一种用于在GaN功率晶体管的GaN半导体衬底和栅极电介质之间制造少缺陷的边界面的相应设备(200)。

公开(公告)号：CN101073192A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200580041746.6

申请日：2005-11-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： E·劳 ,  M·亨 ,  K·弗卢格

IPC: H02K15/02

CPC classification number: H02K15/024 ,  H02K15/026 ,  Y10T29/49009 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49055 ,  Y10T29/53143

Abstract: 本发明是以一种用于使电机的电磁元件弯曲成形的制造装置为依据，其中，电磁元件由弯曲成形的叠片组(5)构成。本发明提出了一种用于使叠片组(5)弯曲成形的第一装置(10)以及一种用于将已弯曲的叠片组(5)成品成形的第二装置(25)，其中，第二装置(25)具有用于叠片组(5)的轴向固定和压紧的第一组件(29)和用于叠片组(5)径向定中心和压紧的第二组件(28)。