公开(公告)号：CN119108299A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410357435.5

申请日：2024-03-27

Applicant: 细美事有限公司 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 崔圣慜 ,  蔡凞烨 ,  姜虎辰 ,  李炯右 ,  河姬周

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明关于一种基板处理方法以及基板处理装置，用于将形成在通过本发明的一实施例的基板上的薄膜以原子层单位进行蚀刻，其特征在于，所述基板处理方法包括：表面改性步骤，向配置有所述基板的腔室的处理空间供应包含氯氧(O)的第一气体而改性所述薄膜的表面；第一吹扫步骤，向所述处理空间供应吹扫气体而去除残留在所述处理空间的所述第一气体；蚀刻步骤，向所述处理空间供应CHF3气体而蚀刻所述改性的薄膜；以及第二吹扫步骤，向所述处理空间供应吹扫气体而去除残留在所述处理空间的所述CHF3气体。

公开(公告)号：CN119108298A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410356957.3

申请日：2024-03-27

Applicant: 细美事有限公司 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 崔圣慜 ,  蔡凞烨 ,  姜虎辰 ,  李炯右 ,  河姬周

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明关于一种基板处理方法以及基板处理装置，用于将形成在通过本发明的一实施例的基板上的薄膜以原子层单位进行蚀刻，其特征在于，所述基板处理方法包括：表面改性步骤，向配置有所述基板的腔室的处理空间供应包含氯(Cl)的第一气体而改性所述薄膜的表面；第一吹扫步骤，向所述处理空间供应吹扫气体而去除残留在所述处理空间的所述第一气体；蚀刻步骤，向所述处理空间供应包含乙酰丙酮的第二气体而蚀刻所述改性的薄膜；以及第二吹扫步骤，向所述处理空间供应吹扫气体而去除残留在所述处理空间的所述第二气体。