基板处理装置、基板处理方法和等离子体产生方法

    公开(公告)号:CN116344311A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202211650553.2

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 提供了一种基板处理装置。该基板处理装置可以包括:具有内部空间的腔室;电极,被配置用于在内部空间中产生等离子体;以及电源单元,被配置用于向电极施加射频电压,其中电源单元可以包括:第一电源,被配置用于向电极施加具有第一频率的第一脉冲电压;第二电源,被配置用于向电极施加具有第二频率的第二脉冲电压,所述第二频率不同于所述第一频率;第三电源,被配置用于施加具有第三频率的射频电压,所述第三频率不同于所述第一频率和所述第二频率;以及相位控制构件,用于控制所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位中的至少一者。

    用于产生等离子体的设备、用于控制该设备的方法以及包括该设备的用于处理基板的设备

    公开(公告)号:CN114597110A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202111515968.4

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 公开了一种用于处理基板的设备,该设备可以包括:其中具有用于处理基板的空间的腔室;在腔室中支撑基板的支撑单元;将气体供应到腔室中的气体供应单元;以及将腔室中的气体激发成等离子体状态的等离子体产生单元,其中所述等离子体产生单元可以包括:高频电源;第一天线;第二天线;以及匹配器,所述匹配器连接在高频电源与第一及第二天线之间,其中所述匹配器可以包括向第一和第二天线分配电流的电流分配器,并且所述电流分配器包括:设置在第一天线与第二天线之间的第一电容器;与第二天线串联连接的第二电容器;以及与第二天线并联连接的第三电容器,其中第一电容器和第二电容器可以被提供为可变电容器。

    基板处理设备
    3.
    发明公开
    基板处理设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN114695057A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111628152.2

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括:腔室,在所述腔室中具有处理空间;基板支撑单元,所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板;气体供应单元,所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中;以及等离子体产生单元,所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态,其中所述等离子体产生单元包括:RF电源,所述RF电源供应RF信号;以及第一天线和第二天线,所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体,并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧,并且其中所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。

    基板处理设备和基板支撑单元
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114628215A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111384124.0

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明构思涉及一种设置在用于使用等离子体处理基板的设备中的基板支撑单元。在一个实施例中,所述基板支撑单元包括:其上放置所述基板的电介质板、设置在所述电介质板下方并具有第一直径的下电极、将RF功率施加到所述下电极并具有第二直径的电源杆、以及设置在所述下电极下方并通过绝缘构件与所述下电极间隔开第一间隙的接地构件,所述接地构件包括板部分,在所述板部分中形成有供所述电源杆所穿过的通孔,其中所述通孔具有第三直径。

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