公开(公告)号：CN114582697A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111427758.X

申请日：2021-11-25

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 卢收练 ,  姜廷锡 ,  梁映轘 ,  李学俊

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体工艺装置。等离子体工艺装置包括：腔室，在所述腔室中执行等离子体工艺；卡盘，布置在所述腔室的内部，并且晶片被提供到所述卡盘；气体供应器，布置在所述卡盘的上方，并且向所述腔室的内部提供工艺气体；OES端口，沿着所述腔室的侧壁在竖直方向上延伸，并且接收从第一位置处的等离子体放出的第一光和从第二位置处的等离子体放出的第二光中的每个，所述第二位置比所述第一位置更靠近所述气体供应器；OES传感器，通过感测所述第一光来测量第一等离子体数据，并且通过感测所述第二光来测量第二等离子体数据；以及控制部，利用所述第一等离子体数据和所述第二等离子体数据来控制所述等离子体工艺。

公开(公告)号：CN112447485A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010913262.2

申请日：2020-09-03

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 姜廷锡 ,  梁映轘 ,  卢收练

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种用于处理基板的装置包括：腔室，在该腔室中具有处理空间；支撑单元，其在该处理空间中支撑所述基板；气体供应单元，其将处理气体供应到处理空间中；以及等离子体生成单元，其从处理气体生成等离子体。支撑单元包括：支撑板，其上放置基板；第一环，其围绕放置在支撑板上的基板；第二环，其布置在第一环下方并且围绕支撑板；以及气体供应构件，其在第一环上方供应气体，并且气体供应构件包括穿过在第一环和第二环而垂直形成的气体管线。

公开(公告)号：CN112151345A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010586364.8

申请日：2020-06-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 姜廷锡

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了基板处理装置。基板处理装置包括工艺腔室、卡盘和聚焦环，其中：所述工艺腔室提供针对基板的工艺处理空间；所述卡盘支承所述基板；所述聚焦环布置为围绕所述卡盘的边缘，其中，所述聚焦环包括具有不同的介电常数的多个层，并且所述多个层中的每个的介电常数和形状被确定为使得随着所述聚焦环的蚀刻而改变的电场的变化减弱。

公开(公告)号：CN112151345B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202010586364.8

申请日：2020-06-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 姜廷锡

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了基板处理装置。基板处理装置包括工艺腔室、卡盘和聚焦环，其中：所述工艺腔室提供针对基板的工艺处理空间；所述卡盘支承所述基板；所述聚焦环布置为围绕所述卡盘的边缘，其中，所述聚焦环包括具有不同的介电常数的多个层，并且所述多个层中的每个的介电常数和形状被确定为使得随着所述聚焦环的蚀刻而改变的电场的变化减弱。

公开(公告)号：CN116072496A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211241499.6

申请日：2022-10-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 梁映轘 ,  卢收练 ,  姜廷锡

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开一种能够更换消耗品的基板处理装置，是一种维持基板处理装置的腔室工艺环境的同时，能够更换喷头、聚焦环等消耗品的支持方案。根据本发明的能够更换消耗品的基板处理装置包括：工艺腔室，设有执行基板处理工艺的处理空间；升降部件，配置在所述工艺腔室中并在所述处理空间内支承消耗品的同时使所述消耗品升降；门单元，设置在所述工艺腔室的一侧壁面，并随着开闭选择性地提供连接到所述处理空间的通道；以及运输单元，通过所述门单元的通道运输消耗品。