公开(公告)号：CN1371434A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00807479.8

申请日：2000-04-07

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： M·莱维 ,  R·C·小奥斯古德 ,  A·M·拉多杰维克

IPC: C30B33/00 ,  C30B29/60 ,  C30B31/22

CPC classification number: C30B33/00 ,  C30B29/28 ,  C30B29/30 ,  C30B29/60 ,  C30B31/22 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76254 ,  Y10S117/915

Abstract: 提供一种从表层/衬底或整块晶体结构中分离单晶膜的方法。该方法包括下述步骤:将离子注入晶体结构中,在其中位于晶体结构的顶表面下方的注入深度处形成损伤层;化学蚀刻掉损伤层,从晶体结构中分离出单晶膜。使含有注入离子的损伤层的晶体结构快速升温,无需化学蚀刻就可以分离出薄膜。本发明的方法特别可用于从金属氧化物晶体结构中分离金属氧化物单晶膜。也披露了提高晶体蚀刻切割速度的方法。