公开(公告)号：CN1291349A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN99803025.2

申请日：1999-02-08

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： M·列文 ,  小R·M·奥斯古德

IPC: H01L21/76 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  Y10S117/915

Abstract: 提供一种从外延层(32)/衬底(37)或体晶体结构上分离单晶膜的方法。该方法包括以下步骤:把离子(38)注入晶体结构以在晶体结构内在晶体结构的上表面以下的注入深度处形成损伤层(36),并对损伤层进行化学腐蚀以实行单晶膜从晶体结构的分离。本发明的方法尤其有用于从金属氧化物晶体结构上分离单晶金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN1158702C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99803025.2

申请日：1999-02-08

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会

Inventor： M·列文 ,  小R·M·奥斯古德

IPC: H01L21/76 ,  C30B33/08

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  Y10S117/915

Abstract: 提供一种从外延层(32)/衬底(37)或体晶体结构上分离单晶膜的方法。该方法包括以下步骤：把离子(38)注入晶体结构以在晶体结构内在晶体结构的上表面以下的注入深度处形成损伤层(36)，并对损伤层进行化学腐蚀以实行单晶膜从晶体结构的分离。本发明的方法尤其有用于从金属氧化物晶体结构上分离单晶金属氧化物膜。