公开(公告)号：CN113646403A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080027494.6

申请日：2020-01-21

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： J·J·柯利 ,  A·涂 ,  W·郭 ,  王春明 ,  C·伊彭 ,  C·霍茨

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  C09K11/88 ,  G02F1/13357

Abstract: 本发明涉及具有强蓝光吸收的高度发光的纳米结构，特别是包含In(1‑x)GaxP核和ZnSe和/或ZnS壳层的核/壳纳米结构，其中0

公开(公告)号：CN108699434A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012866.6

申请日：2017-01-13

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： J·J·柯利 ,  王春明

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14

CPC classification number: C09K11/706 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  C09K11/703 ,  H01L33/502 ,  H01L33/58 ,  H05B33/14 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95

Abstract: 本文公开了包含InP的纳米晶核及GaP和AlP的壳层的高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点。该纳米结构可具有附加的壳层。本文还提供了制备所述纳米结构的方法、包含所述纳米结构的膜和包含所述纳米结构的器件。

公开(公告)号：CN113840895A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202080036773.9

申请日：2020-06-18

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： A·D·玛穆耶 ,  C·桑德兰 ,  I·J-L·普兰特 ,  王春明 ,  J·J·柯利 ,  N·金 ,  R·唐吉拉拉

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K3/08 ,  C08K3/06 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明公开了包含Ag、In、Ga和S以及包含Ag、Ga和S的壳的纳米结构，其中所述纳米结构的峰值波长发射为480‑545nm并且其中至少约80％的发射是带边发射。还公开了制备所述纳米结构的方法。

公开(公告)号：CN115678542A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211320034.X

申请日：2020-06-18

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： A·D·玛穆耶 ,  C·桑德兰 ,  I·J-L·普兰特 ,  王春明 ,  J·J·柯利 ,  N·金 ,  R·唐吉拉拉

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  C08K3/08 ,  C08K3/06 ,  C08L101/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了包含Ag、In、Ga和S以及包含Ag、Ga和S的壳的纳米结构，其中所述纳米结构的峰值波长发射为480‑545nm并且其中至少约80％的发射是带边发射。还公开了制备所述纳米结构的方法。

公开(公告)号：CN113840895B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202080036773.9

申请日：2020-06-18

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： A·D·玛穆耶 ,  C·桑德兰 ,  I·J-L·普兰特 ,  王春明 ,  J·J·柯利 ,  N·金 ,  R·唐吉拉拉

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K3/08 ,  C08K3/06 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明公开了包含Ag、In、Ga和S以及包含Ag、Ga和S的壳的纳米结构，其中所述纳米结构的峰值波长发射为480‑545nm并且其中至少约80％的发射是带边发射。还公开了制备所述纳米结构的方法。

公开(公告)号：CN113710773A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080028744.8

申请日：2020-04-14

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： Y·A·乔 ,  J·哈特洛弗 ,  C·霍茨 ,  王春明 ,  W·郭 ,  I·珍-拉·普兰特 ,  J·T·蒂尔曼 ,  J·J·柯利 ,  C·伊彭 ,  A·涂 ,  龚柯 ,  涂明虎

IPC: C09K11/70 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88

Abstract: 本公开属于纳米技术领域。本公开提供使用原位制备的二油酸锌和/或金属卤化物制备纳米结构的方法。所述纳米结构具有高量子产率、窄发射峰宽、可调发射波长和胶体稳定性。本公开还提供使用所述方法制备的纳米结构。并且，本公开还提供包含所述纳米结构的纳米结构膜和模制品。

公开(公告)号：CN111718716A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010197500.4

申请日：2020-03-19

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： C·伊彭 ,  J·J·柯利 ,  D·策恩德 ,  D·C·汉密尔顿 ,  B·纽梅耶尔 ,  马瑞青

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08J5/18 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明涉及用于电致发光器件的具有无机配体的高度稳定纳米结构，特别是包含至少一个群体的纳米结构以及与所述纳米结构的表面结合的至少一种含氟配体的纳米结构组合物；其中所述含氟配体选自氟锌酸盐、四氟硼酸盐和六氟磷酸盐。本发明还涉及高度稳定纳米结构，其包含至少一个群体的纳米结构和与所述纳米结构的表面结合的氟化物阴离子。本发明还涉及制备这样的纳米结构的方法。