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公开(公告)号：CN1642623A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03807233.5
申请日：2003-01-21
Applicant: 纳尔科公司
IPC: B01D61/22
CPC classification number: B01D65/102 , B01D61/12 , B01D61/22 , B01D61/54 , C02F1/441
Abstract: 本发明提供监测和/或控制薄膜分离系统或流程的方法和系统。本发明是将可测数量的惰性荧光示踪剂(一种或多种)加入到原料流中来评价和/或控制薄膜分离流程中此原料流的净化效果。本发明的方法和系统可以被用于包括原水处理和污水处理在内的多种不同的工业应用中。
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公开(公告)号：CN100488607C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN03807233.5
申请日：2003-01-21
Applicant: 纳尔科公司
IPC: B01D61/22
CPC classification number: B01D65/102 , B01D61/12 , B01D61/22 , B01D61/54 , C02F1/441
Abstract: 本发明提供监测和/或控制薄膜分离系统或流程的方法和系统。本发明是将可测数量的惰性荧光示踪剂(一种或多种)加入到原料流中来评价和/或控制薄膜分离流程中此原料流的净化效果。本发明的方法和系统可以被用于包括原水处理和污水处理在内的多种不同的工业应用中。
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公开(公告)号：CN1329106C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03807234.3
申请日：2003-01-15
Applicant: 纳尔科公司
IPC: B01D65/08
CPC classification number: B01D65/102 , B01D61/12 , B01D61/22 , B01D61/54 , C02F1/441
Abstract: 本发明提供监测和/或控制薄膜分离系统或流程的方法和系统。本发明是利用加入到原料流中惰性荧光示踪剂和标记荧光剂的可测量来评测和/或控制薄膜分离所特有的一个或多个参数，这样就使其性能够最优化。本发明的方法和系统可以用于包括原料水处理和污水处理在内的多种不同的工业应用。
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公开(公告)号：CN1820231A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019533.9
申请日：2004-06-07
Applicant: 纳尔科公司
IPC: G05B1/00
CPC classification number: H01L21/02068 , C23F11/149 , H01L21/2885 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67253 , H01L22/26
Abstract: 本发明公开了一种在镀铜或镀金属半导体器件的制造中使用的处理槽，和一种抑制浸没在处理槽中含水流体中的半导体器件中镀铜或镀金属表面和电路的腐蚀的方法，该方法包括向含水流体中加入有效抑制腐蚀量的一种或多种芳香性三唑腐蚀抑制剂；用荧光法监测含水流体中芳香性三唑腐蚀抑制剂的浓度；和向含水流体中加入另外的芳香性三唑腐蚀抑制剂，以保持芳香性三唑腐蚀抑制剂在含水流体中的有效抑制腐蚀浓度。
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公开(公告)号：CN1642626A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03807234.3
申请日：2003-01-15
Applicant: 纳尔科公司
IPC: B01D65/08
CPC classification number: B01D65/102 , B01D61/12 , B01D61/22 , B01D61/54 , C02F1/441
Abstract: 本发明提供监测和/或控制薄膜分离系统或流程的方法和系统。本发明是利用加入到原料流中惰性荧光示踪剂和标记荧光剂的可测量来评测和/或控制薄膜分离所特有的一个或多个参数，这样就使其性能够最优化。本发明的方法和系统可以用于包括原料水处理和污水处理在内的多种不同的工业应用。
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