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公开(公告)号：CN1178025A
公开(公告)日：1998-04-01
申请号：CN95197757.1
申请日：1995-03-08
Applicant: 高桥研
Inventor： 高桥研
Abstract: 本发明的目的在于提供一种磁记录媒体及其制造方法,该磁记录媒体为具有由CoNiCr或CoCrPt合金磁性膜形成的强磁性金属层的磁记录媒体,其电磁转换特性中的S/N比值较高,并且在大批量生产时可稳定地获得矫顽力。本发明的磁记录媒体为下述的磁通反转型磁记录媒体,在其基体表面上通过金属衬层,形成至少由CoNiCr或CoCrPt构成的强磁性金属层,上述强磁性金属层的氧浓度在100ppm(重量)以下,其特征在于,在形成强磁性金属层的晶粒之间具有非晶形结构构成的晶界层。本发明的磁记录媒体的制造方法的特性在于,形成上述金属衬层和/或上述强磁性金属层时的基体表面温度是60℃～150℃。
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公开(公告)号：CN101023473A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031237.5
申请日：2005-09-15
Abstract: 一种垂直磁记录介质，其通过退火具有较高的矫顽力，为了实现该目的，本发明提供一种制造垂直磁记录介质的方法，该垂直磁记录介质包括沉积在非磁性基底上的磁记录层，其中至少相互层叠包含Co的磁性层和扩散层，并且对所层叠的层进行退火以制成磁记录层。
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公开(公告)号：CN1070305C
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN94192845.4
申请日：1994-07-19
Applicant: 高桥研
Inventor： 高桥研
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/851 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/265
Abstract: 一种低价格、高密度、不需用昂贵的强磁性金属层就可提高矫顽磁力的磁记录媒体，其在基体表面上通过金属底层来形成强磁性金属层并使用磁化反转的磁记录媒体。其强磁性金属层的氧浓度是在100ppm(重量)以下，另外其金属底层的氧浓度为100ppm以下。一种制造磁记录媒体的方法，在基体表面上利用溅射法依次形成金属底层和强磁性金属层，成膜时所用的Ar气的杂质浓度为10ppb，在形成上述金属层之前，用杂质浓度为10ppm的Ar气，以高频溅射法对上述基体表面进行清洁处理，使上述基体的表面被除掉0.2～1nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1285585A
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：CN00109215.4
申请日：1994-07-19
Applicant: 高桥研
Inventor： 高桥研
IPC: G11B5/851
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/851 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/265
Abstract: 一种低价格、高密度、不需用昂贵的强磁性金属层,就可提高矫顽磁力的磁记录媒体,其在基体表面上通过金属底层来形成强磁性金属层并使用磁化反转的磁记录媒体。其强磁性金属层的氧浓度是在100ppm(重量)以下,另外其金属底层的氧浓度为100ppm以下。一种制造磁记录媒体的方法,在基体表面上利用溅射法依次形成金属底层和强磁性金属层,成膜时所用的Ar气的杂质浓度为10ppb,在形成上述金属层之前,用杂质浓度为10ppm的Ar气,以高频溅射法对上述基体表面进行清洁处理,使上述基体的表面被除掉0.2～1nm。
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公开(公告)号：CN1251678A
公开(公告)日：2000-04-26
申请号：CN97182078.3
申请日：1997-03-28
Applicant: 高桥研
Abstract: 本发明提供一种强磁性金属层的矫顽磁力、各向异性磁场或/和标准化矫顽磁力均较强、能适应于高密度记录的磁记录媒体。该磁记录媒体在基体上通过由Cr构成的金属底层而设置了至少包含Co和Cr,并利用磁通量反转,其特征在于:在构成该强磁性金属层的晶粒之间具有穿过该强磁性金属层的Cr偏析区域1,而且,该区域1在该强磁性金属层的厚度方向上,中间附近的Cr浓度低于表面附近和金属底层附近。再者,上述强磁性金属层的晶粒,由越靠近晶间Cr浓度越大的区域2和晶粒中央部分的Cr浓度低于晶间附近的区域3构成,该区域3中的Cr浓度最大值小于该区域2中的Cr浓度最大值。
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公开(公告)号：CN1108390C
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN00800847.7
申请日：2000-05-12
Inventor： 高桥研
CPC classification number: G11B5/656 , C22C19/07 , C23C14/3414 , H01F1/047 , H01F1/15316 , H01F41/183 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12861
Abstract: 本发明是一种以钴(Co)、铬(Cr)以及锗(Ge)为主体的磁性合金。其组成用通式CoxCryGez表示，表示组成比的x、y、z是以原子%表示并满足以下关系式78≤x≤87、2.5≤y≤14.5、3.5≤z≤15、x+y+z＝100，另外，本发明含有Co、Cr、Ge和T的合金，其中T表示Ta、Si、Nb、B、Ni和Pt中的一种或多种以及含有Co、Cr、Ge和T’的合金，其中T’表示Ta、B和Pt中的一种或多种，并公开了每个合金具有的特定组成。含有合金的磁性合金和靶，具有高标准化的矫顽力并能用于生产磁记录介质，该介质具有呈现低的热干扰性并具有热稳定磁性的磁性膜。
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公开(公告)号：CN1304456A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800847.7
申请日：2000-05-12
Inventor： 高桥研
CPC classification number: G11B5/656 , C22C19/07 , C23C14/3414 , H01F1/047 , H01F1/15316 , H01F41/183 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12861
Abstract: 本发明是一种以钴(Co)、铬(Cr)以及锗(Ge)为主体的磁性合金。其组成用通式CoxCryGez表示,表示组成比的X、y、z是以原子%表示并满足以下关系式78≤x≤87、2.5≤y≤14.5、3.5≤z≤15、X十y十z=100,另外,本发明含有Co、Cr、Ge和T的合金,其中T表示Ta、Si、Nb、B、Ni和Pt中的一种或多种以及含有Co、Cr、Ge和T,的合金,其中T,表示Ta、B和Pt中的一种或多种,并公开了每个合金具有的特定组成。含有合金的磁性合金和靶,具有高标准化的矫顽力并能用于生产磁记录介质,该介质具有呈现低的热干扰性并具有热稳定磁性的磁性膜。
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公开(公告)号：CN1251686A
公开(公告)日：2000-04-26
申请号：CN97182080.5
申请日：1997-03-28
Applicant: 高桥研
Abstract: 目的在于提供更高感度地进行磁信号重放的磁阻元件的制造方法。本发明的磁阻元件的制造方法,其特征是具有以下的工序:使制作非磁性体层和强磁性体层的成膜室内达到的真空度减压至大约10-9托以下的工序;在上述成膜室内导入至少含有氧和水的气体a,将成膜室内达到的真空度变成比大约10－9托高的一定压力,然后导入由Ar组成的气体b,使用上述气体a和上述气体b的混合气体,对上述基体的表面进行等离子体蚀刻处理的工序;以及在上述成膜室内,使用上述气体a和上述气体b的混合气体,使给定的靶进行溅射,由此利用溅射法在完成上述等离子体处理的基体上成膜非磁性体层和强磁性体层的工序。
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