公开(公告)号：CN100577853C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200580009847.5

申请日：2005-03-25

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  株式会社田村FA系统 ,  株式会社极东窒化研究所

Inventor： 斋藤隆 ,  水村薰 ,  冈野辉男 ,  毛塚康造 ,  饭岛正贵 ,  吉田俊一

IPC: C23C8/28 ,  B23K3/06 ,  C21D1/06 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K3/0646 ,  C23C8/02 ,  C23C8/28 ,  C23C8/34

Abstract: 在奥氏体类不锈钢的表面上生成不存在铬氮化物(CrN)而含有的氮化改性层的钝态覆膜。由氧化铬构成的钝态覆膜作为针对无铅焊锡的保护覆膜而发挥作用。其结果是，即使是与无铅焊锡的焊锡浴接触，不锈钢的表面也难以被侵蚀，耐腐蚀性大幅度改善，并具有耐磨损性。在最表面生成钝态覆膜的SUS316类不锈钢的情况下，如图4直线Le所示，到达开始侵蚀的时间变长(500小时左右)，并且，侵蚀的深度也比以往的浅(20～25μm左右)，因此，可以预测，可以改善耐用年数到与使用铅焊锡时的耐用年数同等程度，并得到耐腐蚀性优异的不锈钢。

公开(公告)号：CN1938443A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009847.5

申请日：2005-03-25

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  株式会社田村FA系统 ,  株式会社极东窒化研究所

Inventor： 斋藤隆 ,  水村薰 ,  冈野辉男 ,  毛塚康造 ,  饭岛正贵 ,  吉田俊一

IPC: C23C8/28 ,  B23K3/06 ,  C21D1/06 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K3/0646 ,  C23C8/02 ,  C23C8/28 ,  C23C8/34

Abstract: 在奥氏体类不锈钢的表面上生成不存在铬氮化物(CrN)而含有的氮化改性层的钝态覆膜。由氧化铬构成的钝态覆膜作为针对无铅焊锡的保护覆膜而发挥作用。其结果是，即使是与无铅焊锡的焊锡浴接触，不锈钢的表面也难以被侵蚀，耐腐蚀性大幅度改善，并具有耐磨损性。在最表面生成钝态覆膜的SUS316类不锈钢的情况下，如图4直线Le所示，到达开始侵蚀的时间变长(500小时左右)，并且，侵蚀的深度也比以往的浅(20～25μm左右)，因此，可以预测，可以改善耐用年数到与使用铅焊锡时的耐用年数同等程度，并得到耐腐蚀性优异的不锈钢。

公开(公告)号：CN1250225A

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN99120775.0

申请日：1999-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 斋藤隆

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件的生产方法,能在划片步骤中沿给出晶片上切割余量的切割线,精确定位地切割晶片。在半导体晶片10上第一区域内形成芯片电路图形,切割线16在半导体芯片之间穿过第一区域和第二区域,突起部用于芯片电路图形连接,在晶片有突起部表面上树脂敷层以预定厚度在第一区域内密封突起部之间空隙在第二区域内厚度至少能确认部分切割线的位置,以及使用至少包含第二区域中的确认切割线作基准位置,沿切割线切割半导体晶片。

公开(公告)号：CN1155067C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99120775.0

申请日：1999-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 斋藤隆

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件的生产方法，能在划片步骤中沿给出晶片上切割余量的切割线，精确定位地切割晶片。在半导体晶片10上第一区域内形成芯片电路图形，切割线16在半导体芯片之间穿过第一区域和第二区域，突起部用于芯片电路图形连接，在晶片有突起部表面上树脂敷层以预定厚度在第一区域内密封突起部之间空隙在第二区域内厚度至少能确认部分切割线的位置，以及使用至少包含第二区域中的确认切割线作基准位置，沿切割线切割半导体晶片。