公开(公告)号：CN101636691A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880009062.1

申请日：2008-09-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 ,  田中勉 ,  高德真人

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66765

Abstract: 在同一基板上方形成开关元件和光传感器元件的情况下，当为了提高光传感器元件的灵敏度而增大活性层的膜厚度时，会对开关元件(TFT)的特性产生不利影响。在本发明的显示器的结构中，在以矩阵状设有多个像素的玻璃基板(5)上方的栅极绝缘膜(24)上设有沟道层(25)和光电转换层(35)，该沟道层(25)构成用于形成像素的开关元件的薄膜晶体管，该光电转换层(35)构成光传感器元件。光电转换层(35)被形成为比沟道层(25)厚，并且/或者光电转换层(35)由与沟道层(25)的材料不同的材料形成，因而使得光电转换层(35)的光吸收系数高于沟道层(25)的光吸收系数。

公开(公告)号：CN101533857B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910008779.0

申请日：2009-03-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 ,  田中勉 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78651

Abstract: 本发明提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为420nm以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。

公开(公告)号：CN101533857A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910008779.0

申请日：2009-03-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 ,  田中勉 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78651

Abstract: 提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为420nm以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。