公开(公告)号：CN1164090A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN97103104.5

申请日：1997-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 内山浩 ,  芳贺进

IPC: G11B5/82

CPC classification number: G11B5/7315 ,  G11B5/553 ,  G11B5/59633 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/82 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 一种磁盘如果磁道密度增加而具有出色的偏离磁道特性和高矫顽磁力。该磁盘包括由凹凸图形在其上形成如伺服信号这样的数据的非磁性盘片和在非磁性盘片形成的金属磁性薄膜。该金属磁性薄膜的厚度为50nm或以下。在非磁性盘片和金属磁性薄膜之间形成一由第一和第二涂层组成的主涂层。第一涂层由C，Si和Ge中任何一种形成而第二涂层以Cr为主要成分组成。第一涂层的厚度为2至80nm，第二涂层的厚度为5至108nm。

公开(公告)号：CN1091920C

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN97103104.5

申请日：1997-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 内山浩 ,  芳贺进

IPC: G11B5/82

CPC classification number: G11B5/7315 ,  G11B5/553 ,  G11B5/59633 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/82 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 一种磁盘如果磁道密度增加而具有出色的偏离磁道特性和高矫顽磁力。该磁盘包括由凹凸图形在其上形成如伺服信号这样的数据的非磁性盘片和在非磁性盘片形成的金属磁性薄膜。该金属磁性薄膜的厚度为50nm或以下。在非磁性盘片和金属磁性薄膜之间形成一由第一和第二涂层组成的主涂层。第一涂层由C，Si和Ge中任何一种形成而第二涂层以Cr为主要成分组成。第一涂层的厚度为2至80nm，第二涂层的厚度为5至108nm。