公开(公告)号：CN100592534C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN03800999.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 牧村真悟 ,  桥本诚 ,  大川善郎 ,  和田智宏 ,  片冈一典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。

公开(公告)号：CN1882870A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200480034405.1

申请日：2004-11-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岛山亚希子 ,  门田久志 ,  桥本诚 ,  福元浩英 ,  福森博美

IPC: G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1339

Abstract: 本发明公开了一种具有高质量的液晶显示设备和使用该液晶显示设备的投影型显示装置，该液晶显示设备能够防止用在投影仪等的光阀中的液晶面板操作在高温和高湿度环境下时液晶面板的恶化等，其中液晶层16夹在一对衬底之间，这一对衬底通过利用密封材料15键合TFT阵列衬底11和对向衬底12而形成，从而它们彼此面对并相隔预定间隙，密封材料15包含平均粒子尺寸小于0.5μm的非导电填料，用在液晶层16中的液晶材料被设置使得其折射率各向异性Δn在室温下为0.16或更大，TFT阵列衬底11和对向衬底12之间的间隔的单元间隙d被设置为3μm或更小。

公开(公告)号：CN1338658A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01124568.9

申请日：2001-08-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 桥本诚 ,  佐藤拓生

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368

Abstract: 薄膜半导体器件包括多个彼此交叉的信号和栅极互连。置于交叉点处的像素至少有像素电极、薄膜晶体管和为薄膜晶体管遮光的光屏蔽带。光屏蔽带由第一导电层制成,它至少有一部分用作栅极互连。栅极由不同于第一导电层的第二导电层制成。用作栅极互连的第一导电层经接触孔与每个像素区中构成栅极的第二导电层电连接。这样就改善了用作有源矩阵液晶显示单元驱动衬底的薄膜半导体器件的像素孔径率。

公开(公告)号：CN100416382C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200480034405.1

申请日：2004-11-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岛山亚希子 ,  门田久志 ,  桥本诚 ,  福元浩英 ,  福森博美

IPC: G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1339

Abstract: 本发明公开了一种具有高质量的液晶显示设备和使用该液晶显示设备的投影型显示装置，该液晶显示设备能够防止用在投影仪等的光阀中的液晶面板操作在高温和高湿度环境下时液晶面板的恶化等，其中液晶层16夹在一对衬底之间，这一对衬底通过利用密封材料15键合TFT阵列衬底11和对向衬底12而形成，从而它们彼此面对并相隔预定间隙，密封材料15包含平均粒子尺寸小于0.5μm的非导电填料，用在液晶层16中的液晶材料被设置使得其折射率各向异性Δn在室温下为0.16或更大，TFT阵列衬底11和对向衬底12之间的间隔的单元间隙d被设置为3μm或更小。

公开(公告)号：CN1185530C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01124568.9

申请日：2001-08-10

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 桥本诚 ,  佐藤拓生

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368

Abstract: 薄膜半导体器件包括多个彼此交叉的信号和栅极互连。置于交叉点处的像素至少有像素电极、薄膜晶体管和为薄膜晶体管遮光的光屏蔽带。光屏蔽带由第一导电层制成，它至少有一部分用作栅极互连。栅极由不同于第一导电层的第二导电层制成。用作栅极互连的第一导电层经接触孔与每个像素区中构成栅极的第二导电层电连接。这样就改善了用作有源矩阵液晶显示单元驱动衬底的薄膜半导体器件的像素孔径率。

公开(公告)号：CN1554123A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03800999.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 牧村真悟 ,  桥本诚 ,  大川善郎 ,  和田智宏 ,  片冈一典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。