公开(公告)号：CN1341954A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法,能提高结晶度,以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜,其间具有保护膜,然后,作为第一热处理,短波能量束照射非晶膜,从而形成由准单晶制成的晶体膜,接着,为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶,用另外的能量束照射晶体膜,作为第二热处理,结果,可以得到具有优异结晶度的晶体膜。

公开(公告)号：CN1157765C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法，能提高结晶度，以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜，其间具有保护膜。然后，作为第一热处理，短波能量束照射非晶膜，从而形成由准单晶制成的晶体膜。接着，为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶，用另外的能量束照射晶体膜，作为第二热处理。结果，可以得到具有优异结晶度的晶体膜。