公开(公告)号：CN101425659A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810135184.7

申请日：2008-08-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 仓本大 ,  仲山英次 ,  大泉善嗣 ,  藤本强

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/16 ,  H01S5/00 ,  G11B7/125 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III－V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III－V族化合物半导体的活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III－V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III－V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101425659B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200810135184.7

申请日：2008-08-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 仓本大 ,  仲山英次 ,  大泉善嗣 ,  藤本强

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/16 ,  H01S5/00 ,  G11B7/125 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III-V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III-V族化合物半导体层。