-
公开(公告)号：CN101262565B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810085507.6
申请日：2008-03-10
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04N5/2353 , H04N5/35563 , H04N5/372 , H04N9/045 , H04N2209/045
Abstract: 改善由于将读出到垂直传送部中的信号电荷不传送而保持所引起的不需要的电荷的叠加问题。将全曝光期间(t10～t40)分成前半部分和后半部分，并在时刻t20读出与低感光度像素信号相对应的信号电荷并用为输出信号，并且在电子全曝光期间的最后定时t40读出与高感光度像素信号相对应的信号电荷并用为输出信号。另外，在全曝光期间的后半部分(t20～t40)继续进行曝光/积累的期间，对在时刻t20读出到垂直CCD中的低感光度像素信号用的信号电荷进行行转移而不使其滞留在垂直CCD中，直至高感光度像素信号的读出时刻t40为止。对于低感光度像素信号和高感光度像素信号，都不会产生由于不进行电荷传送而引起的暗电流成分等不需要的电荷被叠加在从传感器部读出到垂直CCD中的信号电荷上的现象。
-
公开(公告)号：CN1685516A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822556.5
申请日：2003-08-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14806
Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。
-
公开(公告)号：CN102184930A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110090935.X
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
公开(公告)号：CN102184930B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110090935.X
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
公开(公告)号：CN101465364B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810183590.0
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101262565A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810085507.6
申请日：2008-03-10
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04N5/2353 , H04N5/35563 , H04N5/372 , H04N9/045 , H04N2209/045
Abstract: 改善由于将读出到垂直传送部中的信号电荷不传送而保持所引起的不需要的电荷的叠加问题。将全曝光期间(t10～t40)分成前半部分和后半部分，并在时刻t20读出与低感光度像素信号相对应的信号电荷并用为输出信号，并且在电子全曝光期间的最后定时t40读出与高感光度像素信号相对应的信号电荷并用为输出信号。另外，在全曝光期间的后半部分(t20～t40)继续进行曝光/积累的期间，对在时刻t20读出到垂直CCD中的低感光度像素信号用的信号电荷进行行转移而不使其滞留在垂直CCD中，直至高感光度像素信号的读出时刻t40为止。对于低感光度像素信号和高感光度像素信号，都不会产生由于不进行电荷传送而引起的暗电流成分等不需要的电荷被叠加在从传感器部读出到垂直CCD中的信号电荷上的现象。
-
公开(公告)号：CN101742055B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910223634.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/3728 , H04N5/378 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/3728 , H01L27/14641 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置及其读出方法。该固体摄像装置包括：沿垂直转移方向和水平转移方向布置的多个像素；设置在多个像素的水平转移方向相邻的两像素之间的垂直CCD移位寄存器；像素之间用于分离的第一沟道停止部，在水平转移方向相邻的所述两像素，以及与水平转移方向的所述两像素在水平转移方向相邻的像素之间形成；以及读出栅极部和第二沟道停止部，形成在与所述像素和所述垂直CCD移位寄存器之间的垂直转移方向平行的方向；其中，水平转移方向相邻的所述两像素共用所述垂直CCD移位寄存器，并且其中比垂直CCD移位寄存器的栅极绝缘层厚的绝缘层形成在第一沟道停止部的上方。
-
公开(公告)号：CN101742055A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910223634.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04N5/3728 , H01L27/14641 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置及其读出方法。该固体摄像装置包括：沿垂直转移方向和水平转移方向布置的多个像素；设置在多个像素的水平转移方向相邻的两像素之间的垂直CCD移位寄存器；像素之间用于分离的第一沟道停止部，在水平转移方向相邻的所述两像素，以及与水平转移方向的所述两像素在水平转移方向相邻的像素之间形成；以及读出栅极部和第二沟道停止部，形成在与所述像素和所述垂直CCD移位寄存器之间的垂直转移方向平行的方向；其中，水平转移方向相邻的所述两像素共用所述垂直CCD移位寄存器，并且其中比垂直CCD移位寄存器的栅极绝缘层厚的绝缘层形成在第一沟道停止部的上方。
-
公开(公告)号：CN101252140B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810005990.2
申请日：2008-02-25
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 原田耕一
IPC: H04N5/335 , H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14887
Abstract: 可以防止混色，获得高感光度，并使像素细微化。固体摄像装置具有在第一导电型的半导体衬底上配置有多个受光像素的图像区域，其特征在于，包括：多个光传感器部，通过在半导体衬底上设置构成所述受光像素的受光区域和光电转换区域而形成；第二导电型的第一阱区域，形成在夹着所述光传感器部的所述光电转换区域而与所述受光区域相反的一侧，并与形成溢漏阻隔层的所述第一导电型相反；第二导电型的第二阱区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在除了与所述光传感器部相对应之处以外的区域上；以及第一导电型区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在与所述光传感器部相对应的区域上。
-
公开(公告)号：CN101465364A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810183590.0
申请日：2008-12-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机，其中，该固态成像装置包括：像素单元，形成在基板上，该基板具有光照射于其上的第一基板表面侧和其上形成多个元件的第二基板表面侧，并且对于作为一个单位的像素单元中的每一个或者多个像素单元，像素单元被相邻的单元组和元件分隔层所分隔。每个像素单元均具有形成在第一基板面侧上的第一导电阱和形成在第二基板面侧上的第二导电阱。第一导电阱接收来自第一基板面侧的光并具有用于所接收光的光电转换功能和电荷累积功能。在第二导电阱中形成有检测第一导电阱中的累积电荷并具有阈值调制功能的晶体管。本发明可以有效且迅速地执行一系列操作，例如，光电载流子的生成和累积、电荷的读出以及剩余电荷的传输。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.024 seconds)
