公开(公告)号：CN101452172A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810178938.7

申请日：2008-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 嶋田佑介 ,  金谷康弘 ,  中嶋大贵 ,  八木圭一

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了显示装置和电子设备。该显示装置包括：具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防止由放电所引起的缺陷的形成。

公开(公告)号：CN101609218B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200910147502.6

申请日：2009-06-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 金谷康弘 ,  中嶋大贵 ,  八木圭一

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/40

Abstract: 本发明提供了一种液晶显示装置，通过改善用于给像素电极施加电势的局部结构而增强亮度。该液晶显示装置包括：像素电极，具有多个开口；对向电极，设置为面对像素电极，其间具有绝缘层；液晶层，设置在像素电极与对向电极相反的一侧；选择线，用于选择像素；薄膜晶体管，设置在对向电极的与像素电极相反的一侧以驱动像素，并利用选择线的一部分作为它的栅极；以及层间导体，连接在薄膜晶体管和像素电极之间。对向电极具有允许层间导体穿过的对向电极孔，并且对向电极孔与选择线部分地重叠。

公开(公告)号：CN101452172B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200810178938.7

申请日：2008-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 嶋田佑介 ,  金谷康弘 ,  中嶋大贵 ,  八木圭一

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了显示装置和电子设备。该显示装置包括：具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防止由放电所引起的缺陷的形成。

公开(公告)号：CN101609218A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910147502.6

申请日：2009-06-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 金谷康弘 ,  中嶋大贵 ,  八木圭一

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/40

Abstract: 本发明提供了一种液晶显示装置，通过改善用于给像素电极施加电势的局部结构而增强亮度。该液晶显示装置包括：像素电极，具有多个开口；对向电极，设置为面对像素电极，其间具有绝缘层；液晶层，设置在像素电极与对向电极相反的一侧；选择线，用于选择像素；薄膜晶体管，设置在对向电极的与像素电极相反的一侧以驱动像素，并利用选择线的一部分作为它的栅极；以及层间导体，连接在薄膜晶体管和像素电极之间。对向电极具有允许层间导体穿过的对向电极孔，并且对向电极孔与选择线部分地重叠。