公开(公告)号：CN1348200A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01137983.9

申请日：2001-09-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中屿英晴 ,  根来阳一 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/48

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 一种薄膜(特别是半导体薄膜)的生产方法,该方法包括用脉冲宽度为60ns或更大的准分子激光束照射含有挥发性气体的生薄膜,以此除去生薄膜中的挥发性气体。该方法同传统的用电炉进行脱气的方法一样能够有效地降低薄膜中的挥发性气体如氢气的含量。用准分子激光束照射脱气后的薄膜可以在不破坏薄膜的情况下使其在很短的时间内再结晶。