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公开(公告)号：CN111164964B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880064204.8
申请日：2018-10-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N5/355 , H04N5/3745
Abstract: 本公开的摄像装置包括：将第一光接收器件与第一电荷累积部彼此耦接的第一开关、将预定节点与所述第一电荷累积部彼此耦接的第二开关、将预定电压施加到所述预定节点的第三开关、将第二光接收器件与第二电荷累积部彼此耦接的第四开关、将所述第二电荷累积部与所述预定节点彼此耦接的第五开关、输出像素电压的输出部、驱动部以及确定第一至第四值的处理器。所述驱动部在第一时段中接通所述第二和第三开关并关断所述第一、第四和第五开关，在第二时段中关断所述第三开关并接通所述第五开关，在第三时段中开启所述第四开关，并在第四时段中关断第四开关。所述处理器基于所述第二和第四时段中的所述像素电压确定所述第三值。
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公开(公告)号：CN114730779A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080078854.5
申请日：2020-12-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了可以抑制像素之间的串扰的摄像元件、摄像元件驱动方法和电子装置。根据本发明的摄像元件设置有：单位像素，其包括具有第一光电转换元件(101)的第一像素(300a)和具有第二光电转换元件(102)的第二像素(301a)，第二像素与第一像素相邻布置；以及累积部(302a)，其累积由第二光电转换元件产生的电荷并且将所累积的电荷转换成电压。累积部布置在单位像素和与该单位像素相邻的其他单位像素之间的边界处。
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公开(公告)号：CN119769202A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380059919.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H10F39/18 , H04N25/70 , H04N25/77 , H04N25/771
Abstract: 该光检测元件包括：沿平面方向布置的多个像素；以及在相邻像素像素之间沿着与所述平面方向相交的方向延伸以将所述多个像素之中的相邻像素彼此分隔的分隔部，其中，所述多个像素分别包括光电转换元件和多个晶体管，并且在平面图中，各个相邻像素的所述多个晶体管之中的各个特定晶体管的栅极电极隔着分隔部彼此相对地设置，并且越过所述分隔部彼此连接。
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公开(公告)号：CN115696074B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202211344606.8
申请日：2020-12-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本发明涉及光检测装置。光检测装置包括：在横截面图中被布置在基板中的第一、第二和第三光电转换区域，第二、第三光电转换区域分别与第一光电转换区域相邻；第一沟槽，在横截面图中被布置在第一与第二光电转换区域之间；第二沟槽，在横截面图中被布置在第一与第三光电转换区域之间；第一遮光膜，在横截面图中被布置在第一沟槽上方；和第二遮光膜，在横截面图中被布置在第二沟槽上方；在横截面图中，第一光电转换区域的面积大于第二光电转换区域的面积，且大于第三光电转换区域的面积，第一遮光膜的中心部分在第一光电转换区域的中心部分与第一沟槽的中心部分之间，且第二遮光膜的中心部分在第一光电转换区域的中心部分与第二沟槽的中心部分之间。
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公开(公告)号：CN115483236A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211011274.1
申请日：2018-10-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/355 , H04N5/374
Abstract: 本公开的摄像装置包括：将第一光接收器件与第一电荷累积部彼此耦接的第一开关、将预定节点与所述第一电荷累积部彼此耦接的第二开关、将预定电压施加到所述预定节点的第三开关、将第二光接收器件与第二电荷累积部彼此耦接的第四开关、将所述第二电荷累积部与所述预定节点彼此耦接的第五开关、输出像素电压的输出部、驱动部以及确定第一至第四值的处理器。所述驱动部在第一时段中接通所述第二和第三开关并关断所述第一、第四和第五开关，在第二时段中关断所述第三开关并接通所述第五开关，在第三时段中开启所述第四开关，并在第四时段中关断第四开关。所述处理器基于所述第二和第四时段中的所述像素电压确定所述第三值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115696074A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211344606.8
申请日：2020-12-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 本发明涉及光检测装置。光检测装置包括：在横截面图中被布置在基板中的第一、第二和第三光电转换区域，第二、第三光电转换区域分别与第一光电转换区域相邻；第一沟槽，在横截面图中被布置在第一与第二光电转换区域之间；第二沟槽，在横截面图中被布置在第一与第三光电转换区域之间；第一遮光膜，在横截面图中被布置在第一沟槽上方；和第二遮光膜，在横截面图中被布置在第二沟槽上方；在横截面图中，第一光电转换区域的面积大于第二光电转换区域的面积，且大于第三光电转换区域的面积，第一遮光膜的中心部分在第一光电转换区域的中心部分与第一沟槽的中心部分之间，且第二遮光膜的中心部分在第一光电转换区域的中心部分与第二沟槽的中心部分之间。
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公开(公告)号：CN111164964A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880064204.8
申请日：2018-10-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N5/355 , H04N5/3745
Abstract: 本公开的摄像装置包括：将第一光接收器件与第一电荷累积部彼此耦接的第一开关、将预定节点与所述第一电荷累积部彼此耦接的第二开关、将预定电压施加到所述预定节点的第三开关、将第二光接收器件与第二电荷累积部彼此耦接的第四开关、将所述第二电荷累积部与所述预定节点彼此耦接的第五开关、输出像素电压的输出部、驱动部以及确定第一至第四值的处理器。所述驱动部在第一时段中接通所述第二和第三开关并关断所述第一、第四和第五开关，在第二时段中关断所述第三开关并接通所述第五开关，在第三时段中开启所述第四开关，并在第四时段中关断第四开关。所述处理器基于所述第二和第四时段中的所述像素电压确定所述第三值。
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公开(公告)号：CN107851649B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201680040918.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本公开涉及可以进一步提高图像质量的成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备。一种成像设备包括光电转换单元，其接收光并对其进行光电转换；浮动扩散层，其聚集由所述光电转换单元产生的电荷；和扩散层，其充当晶体管的源极或漏极。然后，该浮动扩散层形成为具有比该扩散层的杂质浓度更低的杂质浓度。另外，在一个像素中同时设置第一光电转换单元和第二光电转换单元作为所述光电转换单元，所述第一光电转换单元能够聚集通过所述光电转换产生的电荷，通过所述光电转换产生的电荷被顺序地从所述第二光电转换单元取出并聚集在所述浮动扩散层中，并且该第一光电转换单元和该第二光电转换单元布置在沿光的照射方向上纵向的线上。本技术可以应用于例如背照式CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN108352395A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063100.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/36961 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供了摄像装置和包含摄像装置的电子设备。所公开的摄像装置能够包括第一像素(2PA,2PB)和第二像素(2X)。所述第一像素和所述第二像素分别具有第一电极(51A,51B,51C)、光电转换膜(81)的一部分和第二电极(82)的一部分，其中，所述光电转换膜位于所述第一电极和所述第二电极之间。所述第一像素的所述第一电极(51A,51B)具有第一面积，而所述第二像素的所述第一电极(51C)具有小于所述第一面积的第二面积。所述第一像素能够包括遮光膜(52A,52B)。替代地或者附加地，所述第一像素能够被分为第一部分和第二部分。
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公开(公告)号：CN107851649A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040918.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/146 , G06T2207/10 , G09G2310/0264 , G09G2320/02 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本公开涉及可以进一步提高图像质量的成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备。一种成像设备包括光电转换单元，其接收光并对其进行光电转换；浮动扩散层，其聚集由所述光电转换单元产生的电荷；和扩散层，其充当晶体管的源极或漏极。然后，该浮动扩散层形成为具有比该扩散层的杂质浓度更低的杂质浓度。另外，在一个像素中同时设置第一光电转换单元和第二光电转换单元作为所述光电转换单元，所述第一光电转换单元能够聚集通过所述光电转换产生的电荷，通过所述光电转换产生的电荷被顺序地从所述第二光电转换单元取出并聚集在所述浮动扩散层中，并且该第一光电转换单元和该第二光电转换单元布置在沿光的照射方向上纵向的线上。本技术可以应用于例如背照式CMOS图像传感器。
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