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公开(公告)号：CN112689893B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201980059444.3
申请日：2019-09-03
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: [问题]提供一种显示装置，在该显示装置中能够抑制辉点缺陷的发生。[解决方案]显示装置包括发光单元和驱动电路。该驱动电路包括晶体管，该晶体管具有：第一扩散层，其驱动发光单元并且其中未形成在硅区域中形成的硅化物；以及电连接到第一扩散层的第一接触电极。
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公开(公告)号：CN112689893A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980059444.3
申请日：2019-09-03
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78 , H01L51/50 , H01L21/336 , G09G3/20 , G09G3/3208
Abstract: [问题]提供一种显示装置，在该显示装置中能够抑制辉点缺陷的发生。[解决方案]显示装置包括发光单元和驱动电路。该驱动电路包括晶体管，该晶体管具有：第一扩散层，其驱动发光单元并且其中未形成在硅区域中形成的硅化物；以及电连接到第一扩散层的第一接触电极。
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公开(公告)号：CN117836941A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056045.3
申请日：2022-03-22
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 田村一裕
Abstract: 本发明的目的之一是提供可以使不同芯片之间产生的连接异常最小化的半导体设备和电子设备。半导体设备具有绝缘层，并且包括第一芯片，第一芯片具有多个配线层，所述多个配线层具有在绝缘层中形成的配线；和至少一个第二芯片，所述至少一个第二芯片具有安装在第一芯片上的多个导电部分。第一芯片具有多个焊盘层，在第一芯片上形成连接结构，在所述连接结构中焊盘层和导电部分是电连接的，并且所述多个焊盘层至少在多个不同配线层中形成。
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公开(公告)号：CN109416897B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201780039355.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 索尼公司
Inventor： 田村一裕
IPC: G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3233 , H01L51/50
Abstract: 根据本公开的显示装置设置有半导体基板(71)和具有电容元件(27)的电路单元。电容元件包括：形成在半导体基板中并沿基板深度方向延伸的介电层(271)；在介电层的一个表面侧以与介电层相对的方式形成的第一电极(272)；以及在介电层的另一表面侧以与介电层相对的方式形成的第二电极(273)。根据本公开的电子设备具有如此配置的显示装置。
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公开(公告)号：CN109416897A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039355.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 索尼公司
Inventor： 田村一裕
IPC: G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3233 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3276 , G02B27/017 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G2300/0439 , H01L27/124 , H01L27/3258 , H01L27/3265 , H01L51/50 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2227/323 , H04N5/23293
Abstract: 根据本公开的显示装置设置有半导体基板(71)和具有电容元件(27)的电路单元。电容元件包括：形成在半导体基板中并沿基板深度方向延伸的介电层(271)；在介电层的一个表面侧以与介电层相对的方式形成的第一电极(272)；以及在介电层的另一表面侧以与介电层相对的方式形成的第二电极(273)。根据本公开的电子设备具有如此配置的显示装置。
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