薄膜晶体管、显示装置和电子设备

    公开(公告)号:CN102637745A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210022915.3

    申请日:2012-02-02

    Applicant: 索尼公司

    Inventor: 横关弥树博

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/78696

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、一种包括所述薄膜晶体管的显示装置以及一种采用所述显示装置的电子设备,所述薄膜晶体管包括:栅极;源极和漏极,它们形成源极漏极对;以及沟道层,其设置于栅极和源极漏极对之间,该沟道层包括多晶氧化物半导体材料,并且所述沟道层的膜厚小于多晶氧化物半导体材料的晶粒的平均直径。本发明的薄膜晶体管具有高的载流子迁移率并能够减少元件特性的差异,故可提高采用所述薄膜晶体管的显示装置以及采用所述显示装置的电子设备的性能。

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