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公开(公告)号:CN103325817A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310084643.4
申请日:2013-03-15
Applicant: 索尼公司
Inventor: 横关弥树博
IPC: H01L29/24 , H01L29/10 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786 , H01L21/0237 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及电子设备。一种薄膜晶体管,包括:沟道层,由具有红绿柱石(bixbyte)结构的晶体氧化物半导体制成,其中,沟道层的(222)面与载流子的运动方向大致平行。
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公开(公告)号:CN103078038A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201210397869.5
申请日:2012-10-18
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及包含该发光元件的发光装置。发光元件包括:层叠体,其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,所述第二导电半导体层具有光提取表面;以及复合抑制结构,其设置在所述有源层的端面附近,所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。根据本发明,能够抑制有源层的端面处的非发光复合并提高发光效率。
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公开(公告)号:CN102637745A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201210022915.3
申请日:2012-02-02
Applicant: 索尼公司
Inventor: 横关弥树博
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、一种包括所述薄膜晶体管的显示装置以及一种采用所述显示装置的电子设备,所述薄膜晶体管包括:栅极;源极和漏极,它们形成源极漏极对;以及沟道层,其设置于栅极和源极漏极对之间,该沟道层包括多晶氧化物半导体材料,并且所述沟道层的膜厚小于多晶氧化物半导体材料的晶粒的平均直径。本发明的薄膜晶体管具有高的载流子迁移率并能够减少元件特性的差异,故可提高采用所述薄膜晶体管的显示装置以及采用所述显示装置的电子设备的性能。
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公开(公告)号:CN103078038B
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201210397869.5
申请日:2012-10-18
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及包含该发光元件的发光装置。发光元件包括:层叠体,其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,所述第二导电半导体层具有光提取表面;以及复合抑制结构,其设置在所述有源层的端面附近,所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。根据本发明,能够抑制有源层的端面处的非发光复合并提高发光效率。
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公开(公告)号:CN104471736A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201380028033.0
申请日:2013-07-30
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3244 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L27/32 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种显示装置,其包括彼此对向配置的第一基板和第二基板;在第一基板上的第一有机绝缘层;在显示区域中排列的多个发光元件,所述显示区域在第一有机绝缘层上并面对第二基板;和在周边区域中覆盖第一有机绝缘层的第一防湿膜,其中所述周边区域设置在第一基板上并包围所述显示区域。
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公开(公告)号:CN104241324A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410234738.4
申请日:2014-05-29
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G02F1/1506 , G02F1/19 , G02F2201/44 , H01L27/3232
Abstract: 提供了一种显示单元和电子设备,其中,该显示单元包括:彼此相对的排列的一对第一衬底和第二衬底;设置在第一衬底和第二衬底之间的显示层;以及具有用于每个像素的开口并且设置在显示层和第二衬底之间的显示模式切换层。
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