公开(公告)号：CN107482791B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201710683251.8

申请日：2013-04-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宮本宗 ,  中野裕章 ,  村上知伦

IPC: H02J50/12 ,  H02J50/60 ,  G01V3/10 ,  H02J7/00 ,  H02J50/80

Abstract: 本公开涉及受电装置、送电装置及送电系统，其中，提供了一种受电装置，包括：谐振电路，包括电耦合到谐振电容器的受电线圈；存储器，被配置为存储预先确定的参考Q值；以及控制电路，被配置为控制关于电池的充电操作，并且控制负载调制电路与送电装置通信，其中，当在所述受电装置和所述送电装置之间不存在异物时，测量所述预先确定的参考Q值。

公开(公告)号：CN103094994A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210449121.5

申请日：2012-11-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宮本宗

IPC: H02J17/00

CPC classification number: H02J50/12 ,  H01F38/14 ,  H02J7/025 ,  H02J50/40 ,  H02J50/50 ,  H02J50/70

Abstract: 本发明提供了磁耦合单元和磁耦合系统，当使用磁装置之间的磁耦合进行操作时，其能够减少能量损耗。该磁耦合单元包括：一个或多个磁装置，其每一个都能与其它单元的其它磁装置磁耦合；和一个或多个耦合增强部，其每一个都能增强磁耦合。

公开(公告)号：CN107482791A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710683251.8

申请日：2013-04-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宮本宗 ,  中野裕章 ,  村上知伦

IPC: H02J50/12 ,  H02J50/60 ,  G01V3/10 ,  H02J7/00 ,  H02J50/80

Abstract: 本公开涉及受电装置、送电装置及送电系统，其中，提供了一种受电装置，包括：谐振电路，包括电耦合到谐振电容器的受电线圈；存储器，被配置为存储预先确定的参考Q值；以及控制电路，被配置为控制关于电池的充电操作，并且控制负载调制电路与送电装置通信，其中，当在所述受电装置和所述送电装置之间不存在异物时，测量所述预先确定的参考Q值。

公开(公告)号：CN107516946A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710682025.8

申请日：2013-03-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宮本宗

IPC: H02J50/12 ,  G01V3/10 ,  G01N27/72 ,  H01F38/14 ,  H02J50/60 ,  H02J50/70 ,  H01F5/00 ,  H02J50/90

Abstract: 本发明涉及一种检测装置。该检测装置包括至少一个线圈，在壳体上；定位单元，在所述壳体上；以及控制单元，被配置为通过比较所述至少一个线圈的至少一个电参数与阈值来检测异物。

公开(公告)号：CN107516946B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710682025.8

申请日：2013-03-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宮本宗

IPC: H02J50/12 ,  G01V3/10 ,  G01N27/72 ,  H01F38/14 ,  H02J50/60 ,  H02J50/70 ,  H01F5/00 ,  H02J50/90

Abstract: 本发明涉及一种检测装置。该检测装置包括至少一个线圈，在壳体上；定位单元，在所述壳体上；以及控制单元，被配置为通过比较所述至少一个线圈的至少一个电参数与阈值来检测异物。

公开(公告)号：CN103094994B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210449121.5

申请日：2012-11-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 宮本宗

IPC: H02J50/12

CPC classification number: H02J50/12 ,  H01F38/14 ,  H02J7/025 ,  H02J50/40 ,  H02J50/50 ,  H02J50/70

Abstract: 提供了磁耦合单元和磁耦合系统，当使用磁装置之间的磁耦合进行操作时，其能够减少能量损耗。该磁耦合单元包括：一个或多个磁装置，其每一个都能与其它单元的其它磁装置磁耦合；和一个或多个耦合增强部，其每一个都能增强磁耦合。