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公开(公告)号：CN113381299B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110243203.3
申请日：2021-03-05
Abstract: 发光装置和投影仪，能够降低在柱状部之间传播的光的损失。发光装置具有：电极；以及层叠体，所述层叠体具有：n型的第1半导体层；发光层；p型的第2半导体层；隧道结层；以及n型的第3半导体层，所述电极与所述第1半导体层电连接，按照所述第1半导体层、所述发光层、所述第2半导体层、所述隧道结层、所述第3半导体层的顺序进行配置，所述发光层和所述第1半导体层构成柱状部。
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公开(公告)号：CN118693211A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410331596.7
申请日：2024-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供发光装置、显示装置以及电子设备，能够提高光的取出效率。发光装置具有：第1电极；第2电极，其具有透光性；第1半导体层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间，具有第1导电型；第2半导体层，其设置在所述第1半导体层与所述第2电极之间，具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及反射层，其设置在所述第1电极与所述第1半导体层之间，使由所述发光层产生的光向所述第2电极侧反射并会聚。
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公开(公告)号：CN113381299A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110243203.3
申请日：2021-03-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 发光装置和投影仪，能够降低在柱状部之间传播的光的损失。发光装置具有：电极；以及层叠体，所述层叠体具有：n型的第1半导体层；发光层；p型的第2半导体层；隧道结层；以及n型的第3半导体层，所述电极与所述第1半导体层电连接，按照所述第1半导体层、所述发光层、所述第2半导体层、所述隧道结层、所述第3半导体层的顺序进行配置，所述发光层和所述第1半导体层构成柱状部。
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公开(公告)号：CN118676290A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410285548.9
申请日：2024-03-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 赤塚泰斗
IPC: H01L33/58 , H01L25/075
Abstract: 提供发光装置、显示装置和电子设备，能够提高光的取出效率。发光装置具有：层叠体，其具有锥形部，该锥形部具有随着从第1电极侧朝向第2电极侧而宽度变大的锥形状；第1低折射率部，其设置于锥形部的侧面，折射率比层叠体低；第2低折射率部，其设置于第2电极的与层叠体相反的一侧，折射率比层叠体低；以及金属部，其设置于第2低折射率部的侧面，层叠体具有：第1半导体层，其具有第1导电型；第2半导体层，其设置于第1半导体层与第2电极之间，具有与第1导电型不同的第2导电型；以及发光层，其设置于第1半导体层与第2半导体层之间，由发光层产生的光从第2电极侧射出，第2低折射率部的与第2电极相反的一侧的面是透镜面。
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公开(公告)号：CN118676289A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410283767.3
申请日：2024-03-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 赤塚泰斗
IPC: H01L33/58 , H01L25/075
Abstract: 发光装置。能够提高光的取出效率。发光装置具有：第1电极；第2电极，其与所述第1电极相对配置，具有透光性；第1半导体层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间，具有第1导电型；第2半导体层，其设置在所述第1半导体层与所述第2电极之间，与所述第2电极接触，具有与所述第1导电型不同的第2导电型；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及透光部，其设置在所述第2电极的与所述第2半导体层相反的一侧，所述发光层产生的光从所述第2电极侧射出，所述第2电极的折射率比所述第2半导体层的折射率低且比所述透光部的折射率高，所述第2半导体层的与所述第2电极接触的面具有凹凸结构。
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