闪存存储器的改写控制系统及存储器改写控制方法

    公开(公告)号:CN100407177C

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN03142414.7

    申请日:2003-06-11

    CPC classification number: G06F8/65 G06F9/4401

    Abstract: 一种闪存存储器的改写控制系统及方法,闪存存储器(101)具有存储启动引导数据的启动引导区域(201)、存储引导数据的至少两个引导区域(202、203)和存储主数据的主存储区域。引导数据判断部(301)根据引导数据更新判断数据,从分别被储存在各个引导区域中的引导数据中选择出应由启动引导数据执行的引导数据。改写部(302、303)根据接收的更新数据、依据引导数据判断部(301)所选择的引导数据的功能、改写被存储在除了存储有该被选择的引导数据的引导区域的引导区域、启动引导区域及主存储区域中的数据。从而,可通过一次的下载操作实现对存储在包含有引导区域的闪存存储器的各区域中的数据的改写。

    闪存存储器的改写控制系统及改写控制方法

    公开(公告)号:CN1469257A

    公开(公告)日:2004-01-21

    申请号:CN03142414.7

    申请日:2003-06-11

    CPC classification number: G06F8/65 G06F9/4401

    Abstract: 一种闪存存储器的改写控制系统及方法,闪存存储器(101)具有存储启动引导数据的启动引导区域(201)、存储引导数据的至少两个引导区域(202、203)和存储主数据的主存储区域。引导数据判断部(301)根据引导数据更新判断数据,从分别被储存在各个引导区域中的引导数据中选择出应由启动引导数据执行的引导数据。改写部(302、303)根据接收的更新数据、依据引导数据判断部(301)所选择的引导数据的功能、改写被存储在除了存储有该被选择的引导数据的引导区域的引导区域、启动引导区域及主存储区域中的数据。从而,可通过一次的下载操作实现对存储在包含有引导区域的闪存存储器的各区域中的数据的改写。

Patent Agency Ranking