公开(公告)号：CN1312513C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200410050083.1

申请日：2004-07-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 坂本和也 ,  矢崎正幸

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133753 ,  G02F2001/133761

Abstract: 本发明的液晶装置的特征在于，包括：相对配置的第1和第2基板；矩阵状地设置在上述第1基板上、对相邻的像素施加对于基准电压极性彼此相反的驱动电压的多个像素电极；设置在上述第2基板上的共用电极；挟持在上述第1和第2基板间的电光物质；在上述第2基板上形成的、实施了一致的取向处理的第2取向膜；以及以对于在上述第1基板上形成的取向材料，在作为上述电光物质受到由于上述极性相反的驱动电压而在相邻的上述像素电极彼此间产生的电场的影响的区域的、上述像素电极的1个边缘的附近的带状区域和其它的区域中成为不同的取向处理状态的方式形成的第1取向膜。由此，能够使因横向电场的影响引起的反向倾斜变窄，提高开口率。

公开(公告)号：CN1576971A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410050083.1

申请日：2004-07-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 坂本和也 ,  矢崎正幸

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133753 ,  G02F2001/133761

Abstract: 本发明的液晶装置的特征在于，包括：相对配置的第1和第2基板；矩阵状地设置在上述第1基板上、对相邻的像素施加对于基准电压极性彼此相反的驱动电压的多个像素电极；设置在上述第2基板上的共用电极；挟持在上述第1和第2基板间的电光物质；在上述第2基板上形成的、实施了一致的取向处理的第2取向膜；以及以对于在上述第1基板上形成的取向材料，在作为上述电光物质受到由于上述极性相反的驱动电压而在相邻的上述像素电极彼此间产生的电场的影响的区域的、上述像素电极的1个边缘的附近的带状区域和其它的区域中成为不同的取向处理状态的方式形成的第1取向膜。由此，能够使因横向电场的影响引起的反向倾斜变窄，提高开口率。