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公开(公告)号：CN106569367A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610808144.9
申请日：2016-09-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 杉本阳平
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136218 , G02F2201/40 , H01L27/0629 , G02F2001/13629
Abstract: 提供一种能够确保像素电容的电容值而实现优异的显示品质的电光装置、电光装置的制造方法、电子设备。作为本实施方式的电光装置的液晶装置，在基材(10s)上具有隔着电介质膜层叠而成的至少5个电容电极(16d、16f、16h、16k、16m)，至少5个电容电极(16d、16f、16h、16k、16m)中的、第奇数个层叠而成的2个电容电极(16h、16m)经由作为共用接触孔的接触孔(62)与电容线(7)电连接。
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公开(公告)号：CN103809321B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201310541115.7
申请日：2013-11-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本发明提供电光装置以及电子设备，该电光装置具备：电光层，其由第一基板和透光性的第二基板夹持；和第一透光性膜、第二透光性膜和第三透光性膜，它们从第二基板的基材侧依次形成，第二透光性膜的折射率比第二基板的折射率大，且比第一透光性膜的折射率小，也比第三透光性膜的折射率小。通过折射率整合、干涉减光和防止散射来提高射向电光装置的入射光的透射率。
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公开(公告)号：CN106019738A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610186601.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 杉本阳平
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种能够提高显示品质的电光学装置以及电子设备。该电光学装置具备：设置在第一基材(10a)上的半导体层(30a)、设置在半导体层(30a)之上的栅极电极(30g)、设置在半导体层(30a)与第一基材(10a)之间的第一遮光膜(51)、沿半导体层(30a)中的第一基材(10a)的延伸方向设置的第二遮光膜(52)、以及设置在半导体层(30a)的与第一基材(10a)相反侧的第三遮光膜(53)，第二遮光膜(52)被埋入在形成在第一遮光膜(51)与第三遮光膜(53)之间的槽之中，第三遮光膜(53)经由第二遮光膜(52)与栅极电极(30g)以及第一遮光膜(51)电连接。
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公开(公告)号：CN115079472A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210236262.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供电光装置和电子设备，能够实现显示品质的提高。电光装置具有：基板，其具有沿着第1方向延伸的凹部；层叠膜，其具有第1导电层、电介质层和第2导电层；第1绝缘膜；遮光膜；第2绝缘膜；以及半导体层，其包含在所述第1方向上按顺序配置的源区域、沟道区域和漏区域，从所述基板侧起按照所述层叠膜、所述第1绝缘膜、所述遮光膜、所述第2绝缘膜以及所述半导体层的顺序进行配置，所述半导体层在俯视时与所述凹部重叠，且沿着所述凹部配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108319084A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810021045.5
申请日：2018-01-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 杉本阳平
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/133512 , G02F1/1339 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , H01L27/1222 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L28/91 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78675
Abstract: 电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备，该电光装置具备能够确保所期望的电容量的电容元件。作为电光装置的液晶装置(100)具有：层叠在作为基板的基材(10s)上的作为绝缘性的第1层的第1绝缘层(45)、按照每个像素设置于第1绝缘层(45)中的沟槽(45t)、层叠在第1绝缘层(45)上并具有与沟槽(45t)连通的开口部(46a)的作为第2层的第2绝缘层(46)、包括设置在沟槽(45t)及开口部(46a)的至少内侧的、第1电容电极(16a)、第1电容绝缘膜(16b)和第2电容电极(16c)的作为电容元件的保持电容(16)，第1绝缘层(45)的层厚比第2绝缘层(46)的层厚厚，在作为第1方向的X方向上，沟槽(45t)的宽度大于开口部(46a)的宽度。
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公开(公告)号：CN106068532A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580012760.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L29/78678 , H04N9/3105 , H04N9/312
Abstract: 电光装置能够高质量图像。电光装置(200)包括：第一电容元件(491)、第二电容元件(492)和第三电容元件(493)。第一电容元件(491)包括第一导电膜(408)、第二导电膜(411)的第一部分和第一介电膜(410)。第二电容元件(492)包括第三导电膜(416)、第四导电膜(418)的第二部分和第二介电膜(417)。第三电容元件(493)包括第三导电膜(416)、第四导电膜(418)的第三部分和第二介电膜(417)。因为在窄区域中形成包括大电容值的电容元件，即使随着精细化提高而像素变小，可以实现显示不良被抑制的优良的电光装置。
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公开(公告)号：CN106019739A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610188348.7
申请日：2016-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 杉本阳平
IPC: G02F1/1362 , G02F1/13
Abstract: 本发明提供一种能够提高显示品质的电光学装置以及电子设备。该电光学装置具有：第一基材(10a)、设置在第一基材(10a)上的层间绝缘层(45)、以及设置于层间绝缘层(45)的槽(16’)，在槽(16’)的内部形成有按下部电极(16a)、下部电介质膜(16b)、中部电极(16c)、上部电介质膜(16d)、上部电极(16e)的顺序依次层叠而形成的多个电容(第一电容元件(161)、第二电容元件(162))。
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公开(公告)号：CN103809321A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310541115.7
申请日：2013-11-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133502 , G02F2001/133562 , G02F2001/133565
Abstract: 本发明提供电光装置以及电子设备，该电光装置具备：电光层，其由第一基板和透光性的第二基板夹持；和第一透光性膜、第二透光性膜和第三透光性膜，它们从第二基板的基材侧依次形成，第二透光性膜的折射率比第二基板的折射率大，且比第一透光性膜的折射率小，也比第三透光性膜的折射率小。通过折射率整合、干涉减光和防止散射来提高射向电光装置的入射光的透射率。
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公开(公告)号：CN115079472B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210236262.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供电光装置和电子设备，能够实现显示品质的提高。电光装置具有：基板，其具有沿着第1方向延伸的凹部；层叠膜，其具有第1导电层、电介质层和第2导电层；第1绝缘膜；遮光膜；第2绝缘膜；以及半导体层，其包含在所述第1方向上按顺序配置的源区域、沟道区域和漏区域，从所述基板侧起按照所述层叠膜、所述第1绝缘膜、所述遮光膜、所述第2绝缘膜以及所述半导体层的顺序进行配置，所述半导体层在俯视时与所述凹部重叠，且沿着所述凹部配置。
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