公开(公告)号：CN100490082C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN03825534.0

申请日：2003-07-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 卢泫秀 ,  朴泰远 ,  李吉成 ,  李仁庆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02

Abstract: 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt%平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt%的氨、0.2～1wt%的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt%的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt%的季铵碱和余量为去离子水。

公开(公告)号：CN1714432A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825534.0

申请日：2003-07-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 卢泫秀 ,  朴泰远 ,  李吉成 ,  李仁庆

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02

Abstract: 公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。