公开(公告)号：CN111900137A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010712095.5

申请日：2016-08-16

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 西村贵史 ,  前中宽 ,  中村秀 ,  青山卓司 ,  小林祐辅

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C09D163/00 ,  C09D163/02 ,  C09D183/07 ,  C09D7/61

Abstract: 本发明提供一种固化物的散热性优异，固化物的空隙少，固化物的绝缘可靠性优异，能够良好地保护半导体元件的半导体装置。本发明所述的半导体装置具备半导体元件和在所述半导体元件的第一表面上配置的固化物，用于得到所述固化物的半导体元件保护用材料包含热固性化合物、固化剂或固化催化剂、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。

公开(公告)号：CN107735859B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201680033071.9

申请日：2016-08-16

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 西村贵史 ,  前中宽 ,  中村秀 ,  青山卓司 ,  小林祐辅

IPC: H01L23/29 ,  C08G59/18 ,  C08K3/013 ,  C08L63/00 ,  C08L83/05 ,  C08L83/07 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种固化物的散热性优异，固化物的空隙少，固化物的绝缘可靠性优异，能够良好地保护半导体元件的半导体装置。本发明所述的半导体装置具备半导体元件和在所述半导体元件的第一表面上配置的固化物，用于得到所述固化物的半导体元件保护用材料包含热固性化合物、固化剂或固化催化剂、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。

公开(公告)号：CN107735859A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680033071.9

申请日：2016-08-16

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 西村贵史 ,  前中宽 ,  中村秀 ,  青山卓司 ,  小林祐辅

IPC: H01L23/29 ,  C08G59/18 ,  C08K3/013 ,  C08L63/00 ,  C08L83/05 ,  C08L83/07 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种固化物的散热性优异，固化物的空隙少，固化物的绝缘可靠性优异，能够良好地保护半导体元件的半导体装置。本发明所述的半导体装置具备半导体元件和在所述半导体元件的第一表面上配置的固化物，用于得到所述固化物的半导体元件保护用材料包含热固性化合物、固化剂或固化催化剂、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。