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公开(公告)号：CN108604561B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201780009290.8
申请日：2017-01-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示用于选择适用于缺陷检验的光学模式的方法及系统。一种方法可包含：利用一组光学模式来扫描特定类型的全堆叠晶片以获得一组全堆叠晶片图像；及基于由所述组全堆叠晶片图像指示的潜在所关注缺陷的位置来逆向处理所述全堆叠晶片以产生经逆向处理晶片，从而促进对适用于所述特定类型的晶片的缺陷检验的光学模式的选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791897B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201780061620.8
申请日：2017-10-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本文中描述用于基于三维图像的半导体晶片上的所关注缺陷DOI的改进检测与分类的方法及系统。厚分层结构的体积的三维成像以高处理量实现在三个维度中的精确缺陷检测及缺陷位置的估计。在数个不同晶片深度处获取一系列图像。从所述系列图像产生厚半导体结构的三维图像。基于所述厚半导体结构的所述三维图像的分析来对缺陷进行识别及分类。在一些实例中，通过等高线图或横截面图来可视化三维图像堆叠以识别特性缺陷响应。在一些实例中，以算法方式处理所述三维图像以对缺陷进行识别及分类。在另一方面中，基于所述三维图像，在三个维度中估计缺陷的位置。
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公开(公告)号：CN109964116A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780071387.1
申请日：2017-11-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本文中描述用于发现掩埋于三维半导体结构内的所关注缺陷DOI及配方优化的方法及系统。通过存储与受测量的所述半导体结构的总深度的一子组相关联的图像而减小经受缺陷发现及验证的半导体晶片的体积。记录与一或多个聚焦平面或聚焦范围处的缺陷位置相关联的图像片块。基于以下各项中的任一者而减少所考虑光学模式的数目：一或多个所测量晶片级缺陷图征与一或多个预期晶片级缺陷图征的比较、所测量缺陷信噪比及无需逆向处理而验证的缺陷。此外，采用经验证缺陷及所记录图像来训练扰乱筛选程序且优化测量配方。将所述经训练扰乱筛选程序应用于缺陷图像以选择最优光学模式来用于生产。
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公开(公告)号：CN109964116B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201780071387.1
申请日：2017-11-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本文中描述用于发现掩埋于三维半导体结构内的所关注缺陷DOI及配方优化的方法及系统。通过存储与受测量的所述半导体结构的总深度的一子组相关联的图像而减小经受缺陷发现及验证的半导体晶片的体积。记录与一或多个聚焦平面或聚焦范围处的缺陷位置相关联的图像片块。基于以下各项中的任一者而减少所考虑光学模式的数目：一或多个所测量晶片级缺陷图征与一或多个预期晶片级缺陷图征的比较、所测量缺陷信噪比及无需逆向处理而验证的缺陷。此外，采用经验证缺陷及所记录图像来训练扰乱筛选程序且优化测量配方。将所述经训练扰乱筛选程序应用于缺陷图像以选择最优光学模式来用于生产。
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公开(公告)号：CN109791897A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780061620.8
申请日：2017-10-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本文中描述用于基于三维图像的半导体晶片上的所关注缺陷DOI的改进检测与分类的方法及系统。厚分层结构的体积的三维成像以高处理量实现在三个维度中的精确缺陷检测及缺陷位置的估计。在数个不同晶片深度处获取一系列图像。从所述系列图像产生厚半导体结构的三维图像。基于所述厚半导体结构的所述三维图像的分析来对缺陷进行识别及分类。在一些实例中，通过等高线图或横截面图来可视化三维图像堆叠以识别特性缺陷响应。在一些实例中，以算法方式处理所述三维图像以对缺陷进行识别及分类。在另一方面中，基于所述三维图像，在三个维度中估计缺陷的位置。
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公开(公告)号：CN108604561A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009290.8
申请日：2017-01-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示用于选择适用于缺陷检验的光学模式的方法及系统。一种方法可包含：利用一组光学模式来扫描特定类型的全堆叠晶片以获得一组全堆叠晶片图像；及基于由所述组全堆叠晶片图像指示的潜在所关注缺陷的位置来逆向处理所述全堆叠晶片以产生经逆向处理晶片，从而促进对适用于所述特定类型的晶片的缺陷检验的光学模式的选择。
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