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公开(公告)号：CN118872027A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027561.8
申请日：2023-10-11
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/02 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种真空薄膜改性剂、包含其的薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为真空薄膜改性剂，以在真空薄膜工艺中，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，而且具有显著减少碳等杂质的污染的效。
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