-
公开(公告)号：CN118922582A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380026980.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种薄膜遮蔽剂、包含其的薄膜形成用组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，通过应用薄膜遮蔽剂以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，以形成无缝薄膜，并降低杂质，从而改善膜质。
-
公开(公告)号：CN118871617A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026984.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。
-
公开(公告)号：CN118871612A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026982.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，将阶梯覆盖率改善剂和扩散改善剂并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。
-
公开(公告)号：CN116897222A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202380009417.1
申请日：2023-01-05
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04
Abstract: 本发明涉及一种氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，提供预定结构的化合物作为氧化膜反应表面控制剂，基于该氧化膜反应表面控制剂的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
-
公开(公告)号：CN115768921A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180046700.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119998490A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380068276.0
申请日：2023-10-06
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/06 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种介电膜活化剂、使用其制造的半导体基板以及半导体器件。根据本发明，利用能够减少混入介电膜中的前体与反应气体之间的副产碳化合物含量并提供薄膜密度增加效果的介电膜活化剂，从而改善介电膜的电容，并通过简单的工序提供薄膜密度增加效果。
-
公开(公告)号：CN119948203A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380068082.0
申请日：2023-10-06
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/06 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种硫属化物类薄膜改性剂、使用其制造的半导体基板以及半导体器件。本发明的含准金属的薄膜的制造方法利用包含卤素的前体化合物、能够填充从上述前体化合物脱离的卤素的位置的特定的硫属化物类薄膜改性剂，从而在对高纯度的薄膜改善可靠性的同时通过简单的工序容易地进行制造。
-
公开(公告)号：CN118974313A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380027566.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种活化剂、利用其的薄膜形成方法、由此制造的半导体基板及半导体元件，通过提供规定结构的化合物作为活化剂，有效地取代被吸附的前体中的配体，以改善反应速度，并适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
-
公开(公告)号：CN118974312A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380024968.5
申请日：2023-02-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/30
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，使用由预定结构的膜生长/膜质改善化合物和特定介电常数的溶剂组成的薄膜改性组合物，在实施基于真空的薄膜工序时，适当地降低沉积膜的生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)及薄膜的厚度均匀性，并且能够改善蚀刻膜的效率，显著减少杂质污染。
-
公开(公告)号：CN118871616A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026981.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/34 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明关于薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，通过同时使用反应表面预处理剂和配体取代剂，有效地取代吸附前体的配体，以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性以及薄膜的厚度均匀性，并减少杂质以改善膜质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.018 seconds)
